manufactura de un diodo

Manufactura del Diodo
METODO DE ALEACIÓN
Este método consiste esencialmente en fundir sobre un semiconductor una impureza de tipo P o de tipo N. Si, por ejemplo, se hace fundir sobre unaplaca de germanio del tipo N, calentada a 500 °C, una cierta cantidad de indio, este último se funde, el germanio se disuelve y las fases liquidas penetran en la placa paralelamente a lassuperficies, hasta que la solución se satura, es decir, a una profundidad que depende del peso del indio, del área en contacto y de la temperatura alcanzada, obteniéndose así una región P.
METODO DEDIFUSIÓN
Este método consiste en difundir un vapor de tipo N o P sobre un mono cristal de un semiconductor determinado que contenga ya una impureza del tipo contrario a la que se hace difundir.
Porejemplo, si se coloca una placa de germanio de tipo N dentro de un recipiente en el cual circula vapor de indio, se puede obtener una unión P-N por difusión de los átomos de indio a través de lasuperficie de la placa de germanio, mayor será la penetración del indio; por ejemplo, a 570 °C se puede tener una penetración de de 80 A en 100 seg. Y a 870°C se obtiene una penetración de de 8000A en el mismo tiempo.
METODO EPITAXIAL
Tomando el caso del germanio, este método consiste en evaporar dentro de una atmósfera gaseosa yoduro de germanio (Gel2) y alguna impureza sobre unmonocristal de tipo P o tipo N. El yoduro de germanio se descompone sobre el monocristal de germanio según la reacción reversible:
Gel2 Gel4 + Ge.
Evaporando en forma simultanea Gel2 y la impurezasobre el monocristal calentado a una temperatura dada, se puede obtener una unión. La mayor ventaja de este método es que permite la obtención de regiones muy delgadas de pureza controlada. Sepuede emplear en combinación con otras técnicas (de difusión y de aleación) para construir transistores con aplicaciones en ultra alta frecuencia y circuitos integrados.