marco polo

Republica de Venezuela
Universidad Rafael Bellosos Chacin
Laboratorio de Circuitos II
Maracaibo/ Edo. Zulia
Amplificador BJT
Integrantes:
ESQUEMA
1.− Objetivos de la Practica
2.− Revisión dela Literatura
3.− Materiales y Equipos
4.− Funcionamiento y Análisis de los Resultados
5.− Medidas
6.− Conclusiones
7.− Bibliografía
8.− Anexos
Objetivos:
• Diseñar un amplificador BJT, conuna ganancia de voltaje (v) igual a −10
• Analizar el comportamiento de la señal emitida por el amplificador en baja y alta frecuencia, para
determinar el ancho de banda.
Revisión de la Literatura:BJT : Transistor bipolar de unión.
Es aquel dispositivo electrónico que está constituido por tres materiales semiconductores extrínseco, de forma
PNP o NPN, es decir, porción de material N, seguidode material P, luego otra porción de material N, en el
tipo NPN, y de forma análoga en el PNP, pero con los materiales semiconductores inversos. El transistor BJT
se conoce también como transistorbipolar, porque la conducción es a través de huecos y electrones.
La zona central se denomina base, las otras dos se denominan colector y emisor. El emisor se construye
estrecho y muy dopado, la basees estrecha y menos dopada y el colector es la zona más ancha. Para proteger
el material semiconductor, se emplean el encapsulado, que puede ser plástico, de baquelita o metálico. A pesar
de lapoca disipación de energía que tienen los transistores en determinadas ocasiones es necesario el empleo
de disipadores de calor para favorecer la ventilación del transistor.
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Polarización deltransistor
El transistor sin polarizar se puede considerarse como dos diodos contrapuestos, con una barrera de potencial
de 0,7 V para cada diodo. Si se polariza ambos diodos directa o inversamente, secomportarán permitiendo o
no el paso de la corriente como se sabe. El efecto de amplificación en el transistor se crea al polarizar
directamente la unión base−emisor e inversamente la unión...