maria

Transistores
Bipolares

Historia del surgimiento del transistor
Inventor – Lee de
Forest - 1906

Amplificación de señales a mayores distancias
Tubo de vacío

Los tubos de vacío producían mucho calor, necesitaban mucha energía y
debían ser reemplazados continuamente. Era necesario otro método
para amplificar la señal.

EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
Son construidos con 3 capas N y Palternadas
Se les llama transistores (de: Transfer
Resistor).
Durante 1945 a 1949 el grupo de la
compañía Bell desarrolló la teoría de los
transistores, la verificó experimentalmente
y se construyeron transistores.
Por ello, En el año de 1956 Bardeen,
Shockley y Brattain recibieron el Premio
Nobel de Física

Bardeen

Brattain

Shockley

EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
Lostransistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vacío:
El transistor funciona inmediatamente después la conexión
de voltaje, y ello ahorra energía.
Responde rápido a señales de frecuencias muy altas.
Tiene poco tamaño.
Permitió la miniaturización e los equipos electrónicos.

REPRESENTACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Se representan como:
PNP : Con dos diodos unidos por su cátodo.
NPN : Con dosdiodos unidos por su ánodo.
Estas representaciones permiten idear la forma de probar el
buen estado del transistor midiendo las uniones con un
multímetro.
Sus terminales son denominados:
E = Emisor (ingresa las cargas al dispositivo)
C = Colector (recibe las cargas que provienen
del emisor)
B = base (controla el flujo de cargas al colector)

REGIONES DE TRABAJO
Como posee dos unionesP-N y que pueden ser
polarizadas en directo o inverso, hay 4 formas de
polarización, las cuales se indican en la siguiente tabla:
TRANSISTOR PNP
TENSION

VEB > 0, VCB > 0

Je

PD

Jc

PD

ZONA

SATURACIÓN

VEB < 0, VCB < 0

PI

PI

CORTE

VEB > 0, VCB < 0

PD

PI

ACTIVA

CARACTERISTICA

Se comporta como interruptor
cerrado

Se comporta como interruptorabierto

Se comporta como amplificador

VEB < 0, VCB > 0

PI

PD

ACTIVA INVERSA

Se comporta como amplificador
con muy baja ganancia

Las zonas de corte y saturación son empleadas
comúnmente en los circuitos digitales.
• La zona activa se emplea comúnmente en circuitos
analógicos debido a que ahí el transistor puede
amplificar señales.
• La zona activa inversa se emplea tambiénen algunos
tipos de circuitos digitales, tales como las compuertas
lógicas TTL
•

Curva de transferencia:
Se emplea como entrada la juntura base-emisor. Por ello,
las curvas de entrada tendrán mucha similitud con la curva
del diodo. En realidad son una familia de curvas que
dependen de la tensión colector-emisor, pero se considera
una sola porque tienden a estar muy juntas.

CURVASDE SALIDA:
Las curvas más usadas son la que relacionan IC vs
VCE usando como parámetro la corriente de base (IB)

Vemos que posee varias zonas de operación:
Zona de saturación:, Actúa como interruptor cerrado (tensión
pequeña, corriente alta).
Zona de corte: Actúa como interruptor abierto (tensión alta,
corriente pequeña).
Zona activa: Actúa como amplificador.
Para señales de entradapequeña se comporta linealmente.
Zona de ruptura: Maneja tensiones y corrientes altas, con una
gran disipación de potencia.
No se trabaja en ella para evitar la destrucción del BJT.
En principio para cada transistor teórica y
experimentalmente se establece dos parámetros
alfa y beta

Teniendo en cuenta que

Los parámetros alfa y beta son específicos de cada
transistor y varían encorriente alterna.
El punto de operación:
Las zonas de trabajo del BJT están el primer cuadrante del plano
VCE vs. IC.
Se necesita una coordenada o punto de operación (Q) para
ponerlo en una de sus zonas. En nuestro caso dicho punto lo
mantendremos en la zona activa.
Al proceso de situar un punto Q, se le llama polarización.

Métodos de polarización.
Comparación entre los diferentes métodos:...