Materiales
Páginas: 3 (571 palabras)
Publicado: 6 de mayo de 2014
PRÁCTICA 3
CIRCUITOS CON BJT
ELECTRÓNICA
Albert Alemany Chulilla y Juan Carlos Hernández
Objetivo de la práctica
El objetivo de la práctica es elestudio experimental del comportamiento de un transistor bipolar y su utilización en varios circuitos, y del comportamiento de un mosfet.
Para ello vamos a realizar cinco montajes que explicaremosbrevemente a continuación:
1.- Estudio de las curvas del transistor.
2.- Fuente de corriente constante.
3.- Conmutador lógico.
4.- Amplificador en Emisor Común.
5.- Amplificadoracoplado Emisor Común-Colector común.
Estudio de las curvas del transistor
El circuito que vamos a montar en la placa será el siguiente:
El cual lo montaremos en la tarjeta así:Fijar Vbb=15V y después fijarlo en Vbb = 5 V y obtener las curvas características.
Variaremos la tensión VCC desde 0 hasta 25 V y visualizar aproximadamente la relación entre IC y VCE. Paraello visualizar con el osciloscopio la tensión VCE con el canal I (invertido) y la tensión en RC con el canal II
Vbb=15VVbb=5V
Tensión máxima de saturación ( Vbb = 15 V): 12 V
Tensión máxima de saturación ( Vbb = 5 V): 3,8 V
b) Comprobar la linealidad de la curva IB-ICen la zona activa. Para ello se utilizará el circuito:
Distinguir las zonas de corte, activa y de saturación en la curva obtenida.
Zona de Corte: VBB < 0,7V
ZonaActiva: 0,7V < VBB < 12,4V
Zona de Saturación: VBB > 12,4V
Fuente de corriente constante
En este montaje mediremos los resultados de la corriente IL y la corriente IE , así como la tensiónbase-emisor.
a) Seleccionar una resistencia RL =220Ω (jumper a la izquierda). Medir la corriente IL y la corriente IE, así como la tensión base-emisor. Compararlos con los valores...
CIRCUITOS CON BJT
ELECTRÓNICA
Albert Alemany Chulilla y Juan Carlos Hernández
Objetivo de la práctica
El objetivo de la práctica es elestudio experimental del comportamiento de un transistor bipolar y su utilización en varios circuitos, y del comportamiento de un mosfet.
Para ello vamos a realizar cinco montajes que explicaremosbrevemente a continuación:
1.- Estudio de las curvas del transistor.
2.- Fuente de corriente constante.
3.- Conmutador lógico.
4.- Amplificador en Emisor Común.
5.- Amplificadoracoplado Emisor Común-Colector común.
Estudio de las curvas del transistor
El circuito que vamos a montar en la placa será el siguiente:
El cual lo montaremos en la tarjeta así:Fijar Vbb=15V y después fijarlo en Vbb = 5 V y obtener las curvas características.
Variaremos la tensión VCC desde 0 hasta 25 V y visualizar aproximadamente la relación entre IC y VCE. Paraello visualizar con el osciloscopio la tensión VCE con el canal I (invertido) y la tensión en RC con el canal II
Vbb=15VVbb=5V
Tensión máxima de saturación ( Vbb = 15 V): 12 V
Tensión máxima de saturación ( Vbb = 5 V): 3,8 V
b) Comprobar la linealidad de la curva IB-ICen la zona activa. Para ello se utilizará el circuito:
Distinguir las zonas de corte, activa y de saturación en la curva obtenida.
Zona de Corte: VBB < 0,7V
ZonaActiva: 0,7V < VBB < 12,4V
Zona de Saturación: VBB > 12,4V
Fuente de corriente constante
En este montaje mediremos los resultados de la corriente IL y la corriente IE , así como la tensiónbase-emisor.
a) Seleccionar una resistencia RL =220Ω (jumper a la izquierda). Medir la corriente IL y la corriente IE, así como la tensión base-emisor. Compararlos con los valores...
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