Mecatronico
Páginas: 2 (430 palabras)
Publicado: 18 de febrero de 2013
Mecanismos de ruptura
Efecto Zener
Estos diodos, tienen propiedades similares a la de un diodo normal “pn”. La característica V—I, obedece en polarizacìon directa, a la
característicaexponencial donde:
id = Is[ e(Vz/η.VT) - 1] para vz > 0. En polarizacìon inversa, el comportamiento es similar al diodo común, siempre que la tensión inversa no sea excesiva. A partir de una determinadatensión inversa, denominada “Vzk”, se produce la “ruptura de la
juntura” que hace que aumente notoriamente la corriente inversa, sin que aumente la tensión en sus extremos. Dentro de ciertos límites decorriente inversa, esta ruptura no es destructiva. De allí la aplicación de este elemento como “tensión de referencia” o de “regulación de tensión”
La “ruptura Zener”, se produce por el propiocampo eléctrico en la zona de la juntura
(zona de la barrera de potencial o campo eléctrico ínter construido) que se ve incrementado por el potencial eléctrico externo aplicado. Este, provoca laseparación de los electrones de sus enlaces covalentes, generando los portadores de carga “electrón- hueco”.
Un diodo Zener esta construido, drogando fuertemente las regiones p y n de la juntura
pn. Paradiodos con tensiones de ruptura por debajo de los 6 volt, el mecanismo de
ruptura es por “efecto Zener”. Por encima de este valor el mecanismo de ruptura es por “avalancha”. Cualquiera sea elmecanismo de ruptura, se les denomina “diodos Zener”.
Efecto Avalancha:
es un dispositivo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa. En estos diodos, poco dopados, cuandola tensión en polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo eléctricoincrementando su energía cinética, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberándolos también,...
Efecto Zener
Estos diodos, tienen propiedades similares a la de un diodo normal “pn”. La característica V—I, obedece en polarizacìon directa, a la
característicaexponencial donde:
id = Is[ e(Vz/η.VT) - 1] para vz > 0. En polarizacìon inversa, el comportamiento es similar al diodo común, siempre que la tensión inversa no sea excesiva. A partir de una determinadatensión inversa, denominada “Vzk”, se produce la “ruptura de la
juntura” que hace que aumente notoriamente la corriente inversa, sin que aumente la tensión en sus extremos. Dentro de ciertos límites decorriente inversa, esta ruptura no es destructiva. De allí la aplicación de este elemento como “tensión de referencia” o de “regulación de tensión”
La “ruptura Zener”, se produce por el propiocampo eléctrico en la zona de la juntura
(zona de la barrera de potencial o campo eléctrico ínter construido) que se ve incrementado por el potencial eléctrico externo aplicado. Este, provoca laseparación de los electrones de sus enlaces covalentes, generando los portadores de carga “electrón- hueco”.
Un diodo Zener esta construido, drogando fuertemente las regiones p y n de la juntura
pn. Paradiodos con tensiones de ruptura por debajo de los 6 volt, el mecanismo de
ruptura es por “efecto Zener”. Por encima de este valor el mecanismo de ruptura es por “avalancha”. Cualquiera sea elmecanismo de ruptura, se les denomina “diodos Zener”.
Efecto Avalancha:
es un dispositivo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa. En estos diodos, poco dopados, cuandola tensión en polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo eléctricoincrementando su energía cinética, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberándolos también,...
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