Memoria De Lectura Escritura Semiconductoras

Universidad tecnológica de méxico |
PREVIO III |
Memoria de Lectura Escritura Semiconductoras |
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Eduardo Granados Pérez |
30/01/2010 |

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1- Explique la diferencia entre unamemoria de acceso secuencial (SAM) y una memoria de acceso aleatorio (RAM).

Memoria SAM (Serial Access Memory). En ésta memoria los datos para trabajar en la computadora se encuentran seriados, sonutilizados para la lectura o escritura de documentos, en forma de serie ó de uno en uno. Esto indica que el orden de almacenamiento y salida de la información debe ser el mismo.

Memoria RAM (RandomAcces Memory) Es la memoria con la cual el usuario proporciona las órdenes para acceder y programar a la computadora. Es de tipo volátil, o sea, la información que se le proporciona, se pierde cuandose apaga la computadora. Su acceso es aleatorio, esto indica que los datos no tienen un orden determinado, aunque se pueden pedir ó almacenar en forma indistinta.

2- Explique la diferencia entreuna memoria RAM Estática (SRAM) y una memoria RAM Dinámica (DRAM).

Ambas son volátiles
* SRAM (RAM estática): usa flip-flops (también llamados biestables)
* DRAM (RAM dinámica): usacondensadores

3- Algunos CI`s RAM tienen terminales de entrada/salida comunes, ¿Qué circuito nos permite lograr esto y como lo hace?

fin de conservar terminales en un encapsulado de CI, losfabricantes a menudo combinan los funciones de entradas y salida de datos utilizando terminales comunes de entrada/salida. La entrada R/-W controla la función de estas terminales E/S. Durante una operaciónde lectura, las terminales de entrada y salida actúan como salida de datos que reproducen el contenido de la localidad de dirección seleccionada. Durante una operación de escritura, las terminales deS/E actúan como entrada de datos. A las cuales se aplican los datos al ser escritos.

4- ¿Qué quiere decir que una memoria es de lectura destructiva?

Se dice que una memoria es destructiva...