Memoria Flash y RAM
Páginas: 3 (520 palabras)
Publicado: 1 de septiembre de 2015
Memoria Flash y RAM
Por: Erick Sáenz
Memoria Flash
•
Memoria no volátil
•
Creada en 1984 por Fujio Masuoka para la compañía Toshiba
•
Sin partes móviles, no están sujetas a fallas mecánicas•
Operan de manera silenciosa
•
Tamaño físico reducido
•
Capacidad de retención de datos de hasta 10 años
•
Durabilidad de 100.000 ciclos de escritura por sector físico
•
Temperaturaoperacional 0° a 60°, 5% a 95% de humedad
•
Alta capacidad de almacenamiento
•
Soporte plug and play
Comparativa con otros tipos de Memoria
Tipos de memoria flash
Flash NOR
Flash NAND
Acceso dealta velocidad
Si
Si
Acceso de datos en
modo de página
No
Si
Acceso aleatorio de nivel Si
de bytes
No
Usos comunes
PDA
Cámaras digitales
Teléfonos celulares
(almacenamiento de datos)Reproductores MP3
Unidades
de
disco
de
estado
sólido
Almacenamiento industrial
Teléfonos celulares
(sistema operativo)
Almacenamiento de
BIOS para PC
Memoria de
dispositivos de red
Actualidad MemoriaFlash
SanDisk presento durante el Congreso Mundial de Dispositivos
Móviles (MWC 2015) la tarjeta microSD con mayor capacidad
del mundo, la SanDisk Ultra microSDXC UHS-I de 200GB. Todo
en un tamañodiminuto de cerca de 11x15mm.
Samsung presentó en el CES 2015 su nuevo disco duro de
estado sólido (SSD) de 1TB de capacidad, una unidad
diseñada para ser veloz, eficiente y sumamente portátil.Premiado por los Premios de Innovación del International
Consumer Electronics Show (CES) de 2015.
La OWC, ha llevado a la CES 2015 sus nuevas memorias USB,
que además resultan ser unidades SSD. Estasnuevas
memorias están disponibles en capacidades de 120GB y
240GB, y la firma tiene planeado lanzar una versión de 480GB
de capacidad en los próximos meses.
RAM (Random Acces Memory)
MemoriaVolátil.
Lectura -Escritura
La escritura de los datos es aleatoria.
La lectura de los datos es aleatorio.
El tamaño de las palabras es de 8, 16 o 32 bits.
Cada palabra tiene una...
Por: Erick Sáenz
Memoria Flash
•
Memoria no volátil
•
Creada en 1984 por Fujio Masuoka para la compañía Toshiba
•
Sin partes móviles, no están sujetas a fallas mecánicas•
Operan de manera silenciosa
•
Tamaño físico reducido
•
Capacidad de retención de datos de hasta 10 años
•
Durabilidad de 100.000 ciclos de escritura por sector físico
•
Temperaturaoperacional 0° a 60°, 5% a 95% de humedad
•
Alta capacidad de almacenamiento
•
Soporte plug and play
Comparativa con otros tipos de Memoria
Tipos de memoria flash
Flash NOR
Flash NAND
Acceso dealta velocidad
Si
Si
Acceso de datos en
modo de página
No
Si
Acceso aleatorio de nivel Si
de bytes
No
Usos comunes
PDA
Cámaras digitales
Teléfonos celulares
(almacenamiento de datos)Reproductores MP3
Unidades
de
disco
de
estado
sólido
Almacenamiento industrial
Teléfonos celulares
(sistema operativo)
Almacenamiento de
BIOS para PC
Memoria de
dispositivos de red
Actualidad MemoriaFlash
SanDisk presento durante el Congreso Mundial de Dispositivos
Móviles (MWC 2015) la tarjeta microSD con mayor capacidad
del mundo, la SanDisk Ultra microSDXC UHS-I de 200GB. Todo
en un tamañodiminuto de cerca de 11x15mm.
Samsung presentó en el CES 2015 su nuevo disco duro de
estado sólido (SSD) de 1TB de capacidad, una unidad
diseñada para ser veloz, eficiente y sumamente portátil.Premiado por los Premios de Innovación del International
Consumer Electronics Show (CES) de 2015.
La OWC, ha llevado a la CES 2015 sus nuevas memorias USB,
que además resultan ser unidades SSD. Estasnuevas
memorias están disponibles en capacidades de 120GB y
240GB, y la firma tiene planeado lanzar una versión de 480GB
de capacidad en los próximos meses.
RAM (Random Acces Memory)
MemoriaVolátil.
Lectura -Escritura
La escritura de los datos es aleatoria.
La lectura de los datos es aleatorio.
El tamaño de las palabras es de 8, 16 o 32 bits.
Cada palabra tiene una...
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