memoria flash

La memoria flash es una manera desarrollada de la memoria EEPROM que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante impulsos eléctricos, frente a las anteriores que sólo permite escribir o borrar una única celda cada vez EPROM. Por ello, la memoria flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas empleanlectura y escritura en diferentes puntos a la vez. Las aplicaciones mas habituales son :

-USB (además del almacenamiento pueden incluir radio FM grabación de voz…

-PC card(es un periférico diseñado para computadoras portátiles para expandir la memoria aunque también es utilizado como: tarjeta de red, sintonizador de TV,modem….)

-Tarjetas de memoria flash (sustituto del carrete en lafotografía digital.

En cuanto a las características que ofrecen este tipo de memorias cabe destacar su gran resistencia a los golpes (no contiene partes móviles), es de bajo consumo y muy silencioso, de reducido tamaño (lo que nos permite introducirlo en dispositivos portátiles) y muy ligero. Otra característica de gran interés es que funciona bajo temperaturas extremas ( -25º hasta los 85º ).En lo referente a defectos hay que mencionar que solo permite una cantidad finita de escrituras y borrados (generalmente entre 10.000 y un millón), dependiendo de la celda, la precisión y el voltaje necesario para su borrado.Inicialmente almacenaban 8 MB, pero actualmente almacenan más de 64 GB, con una velocidad de hasta 20 MB/s.


Fabricada con puertas lógicas NOR y NAND para almacenar los 0’sy 1’s correspondientes.
Las tarjetas de memoria flash están hechas de muchísimas celdas microscópicas que acumulan electrones con diferentes voltajes a medida que la electricidad pasa a través de ellas, creando así un mapa de diferentes cargas eléctricas. De este modo la tarjeta logra guardar la información que el usuario requiere. Mientras más compacta esté distribuida su estructura, mayorinformación almacena, y asimismo también aumentan los costos en la fabricación de estos dispositivos.
Los sistemas de archivos están en desarrollo, aunque en la práctica el más utilizado es el FAT (por compatibilidad).
Explicación del funcionamiento de las memorias:
-MEMORIA TIPO NOR: Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde elterminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo eléctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrón injection. Para borrar (poner a “1”, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la técnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecánico –cuántico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto.

-MEMORIA TIPO NAND: Las memoriasflash basadas en puertas lógicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un túnel de ‘soltado’. Las memorias basadas en NAND tienen, además de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de más resistencia a las operaciones pero sólo permiten acceso secuencial (más orientado a dispositivosde almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansión de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es más sencillo (aunque también se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base más rentable para la creación de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las...