Memoria flash
Páginas: 9 (2178 palabras)
Publicado: 22 de septiembre de 2010
Introducción
Los seres humanos hemos utilizado un sin fin de variedades para poder guardar toda la información que manejamos, uno de los principales medios fue el papel, pero por su característica de deterioro y a beneficio del avance tecnológico se crearon los famosos medios de almacenamiento magnéticos.
Como actualmente se maneja gran información y ésta aumenta con la cantidad de usuariosque la manejen; el mercado tecnológico captó la necesidad de dispositivos capaces de almacenar la gran cantidad de documentos que utiliza cualquier usuario en cualquier parte del mundo; por ello se rescata la importancia de la fabricación de medios con mayor capacidad de almacenamiento.
En el presente trabajo de investigación, se estudiará la Memoria Flash así como a sus dos diversidadesdominantes de las memorias semiconductoras, creadas con el fin de proporcionar un alto soporte de almacenamiento.
“Memoria se considera a todo dispositivo de almacenamiento capaz de guardar programas, datos y/o información de forma temporal o permanente”.
Memoria de tipo FLASH NAND
Otro de los tipos de Memoria Flash existentes, es la del tipo Flash NAND o Not AND). La estructura de NAND fueimplantada por Toshiba en 1989, desplazando a la memoria del tipo NOR en la elaboración de memorias PCMCIA (Personal Computer Memory Card) y CompactFlash (tipo de dispositivo para almacenamiento de datos), como parte de una mejora en velocidad.
Por tal, su principal característica es la alta velocidad con la que ha sido estructurada, permitiendo un acceso a la información por bloques (conjunto,más no individualizada) y una lectura secuencial, es decir, dirigido a dispositivos de almacenamiento masivo. De manera que, para grabar cada uno de los bloques, es necesario que se realice los bloques de borrado para después reescribir el contenido con otros datos y agilizar el proceso. Por ello es que esta memoria es mucho más veloz que las EEPROM porque borra los bytes en conjunto y el borradoen el tipo NAND es mucho más sencillo. “Los bloques de borrado suelen ser de 16 KB a 128KB”.
Como la memoria de tipo NAND trabaja por bloques, cada uno de ellos consiste de cierto número de páginas, la cuales tienen tamaños de 512, 2048 o 4096 bytes. Teniendo rangos especificados por número de páginas, que se muestran de esta manera:
Tamaños típicos de los bloques:
• 32 páginas de512 bytes para cada tamaño de un bloque de 16 kB
• 64 páginas de 2048 bytes para cada tamaño de un bloque de 128 kB
• 64 páginas de 4096 bytes para cada tamaño de un bloque de 256 kB
• 128 páginas de 4096 bytes para cada tamaño de un bloque de 512 kB
Es importante definir algunos elementos básicos de una memoria flash tipo NAND, los cuales son rescatados de páginas web para mayorconocimiento:
Elementos Básicos:
• Varios chips de memoria flash tipo NAND (memoria semiconductora).
• Controlador con un pequeño procesador para realizar la interfaz USB y la transmisión de datos serie que recibe del ordenador en las páginas y bloques de datos requeridos por la memoria.
• Un oscilador de cristal que produce una señal de reloj de unos 12 MHz para sincronizar lasoperaciones internas y el intercambio de datos.
• Conector USB, dispone de 4 cables, uno de alimentación, otro de tierra y 2 de datos en forma balanceada (Si se transmite un 1 con 2,5 V, en una línea van +2,5V y el la otra -2,5V). La alimentación obtenida de una USB es de 5 voltios y de 100 a 500 mA.
Objetivo:
El objetivo de la fabricación de la memoria flash NAND era reducir el tamaño delespacio del chip y crear una capacidad más elevada para conseguir una memora flash (mucho más rápida y potente) y con ello, lograr también, reducir el costo por bit con el fin de poder competir con los dispositivos de almacenamiento magnéticos.
Características:
1. Este tipo de memoria se basa en celdas de memoria NAND de tipo no volátil, ya que la información que contenga no se perderá por...
Los seres humanos hemos utilizado un sin fin de variedades para poder guardar toda la información que manejamos, uno de los principales medios fue el papel, pero por su característica de deterioro y a beneficio del avance tecnológico se crearon los famosos medios de almacenamiento magnéticos.
Como actualmente se maneja gran información y ésta aumenta con la cantidad de usuariosque la manejen; el mercado tecnológico captó la necesidad de dispositivos capaces de almacenar la gran cantidad de documentos que utiliza cualquier usuario en cualquier parte del mundo; por ello se rescata la importancia de la fabricación de medios con mayor capacidad de almacenamiento.
En el presente trabajo de investigación, se estudiará la Memoria Flash así como a sus dos diversidadesdominantes de las memorias semiconductoras, creadas con el fin de proporcionar un alto soporte de almacenamiento.
“Memoria se considera a todo dispositivo de almacenamiento capaz de guardar programas, datos y/o información de forma temporal o permanente”.
Memoria de tipo FLASH NAND
Otro de los tipos de Memoria Flash existentes, es la del tipo Flash NAND o Not AND). La estructura de NAND fueimplantada por Toshiba en 1989, desplazando a la memoria del tipo NOR en la elaboración de memorias PCMCIA (Personal Computer Memory Card) y CompactFlash (tipo de dispositivo para almacenamiento de datos), como parte de una mejora en velocidad.
Por tal, su principal característica es la alta velocidad con la que ha sido estructurada, permitiendo un acceso a la información por bloques (conjunto,más no individualizada) y una lectura secuencial, es decir, dirigido a dispositivos de almacenamiento masivo. De manera que, para grabar cada uno de los bloques, es necesario que se realice los bloques de borrado para después reescribir el contenido con otros datos y agilizar el proceso. Por ello es que esta memoria es mucho más veloz que las EEPROM porque borra los bytes en conjunto y el borradoen el tipo NAND es mucho más sencillo. “Los bloques de borrado suelen ser de 16 KB a 128KB”.
Como la memoria de tipo NAND trabaja por bloques, cada uno de ellos consiste de cierto número de páginas, la cuales tienen tamaños de 512, 2048 o 4096 bytes. Teniendo rangos especificados por número de páginas, que se muestran de esta manera:
Tamaños típicos de los bloques:
• 32 páginas de512 bytes para cada tamaño de un bloque de 16 kB
• 64 páginas de 2048 bytes para cada tamaño de un bloque de 128 kB
• 64 páginas de 4096 bytes para cada tamaño de un bloque de 256 kB
• 128 páginas de 4096 bytes para cada tamaño de un bloque de 512 kB
Es importante definir algunos elementos básicos de una memoria flash tipo NAND, los cuales son rescatados de páginas web para mayorconocimiento:
Elementos Básicos:
• Varios chips de memoria flash tipo NAND (memoria semiconductora).
• Controlador con un pequeño procesador para realizar la interfaz USB y la transmisión de datos serie que recibe del ordenador en las páginas y bloques de datos requeridos por la memoria.
• Un oscilador de cristal que produce una señal de reloj de unos 12 MHz para sincronizar lasoperaciones internas y el intercambio de datos.
• Conector USB, dispone de 4 cables, uno de alimentación, otro de tierra y 2 de datos en forma balanceada (Si se transmite un 1 con 2,5 V, en una línea van +2,5V y el la otra -2,5V). La alimentación obtenida de una USB es de 5 voltios y de 100 a 500 mA.
Objetivo:
El objetivo de la fabricación de la memoria flash NAND era reducir el tamaño delespacio del chip y crear una capacidad más elevada para conseguir una memora flash (mucho más rápida y potente) y con ello, lograr también, reducir el costo por bit con el fin de poder competir con los dispositivos de almacenamiento magnéticos.
Características:
1. Este tipo de memoria se basa en celdas de memoria NAND de tipo no volátil, ya que la información que contenga no se perderá por...
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