Memoria Ram 6116
El dispositivo 6116 es una memoria de acceso aleatorio, Random Acces Memory (RAM), cuenta con una capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una, es una memoria estática de altavelocidad, esta fabricada con la tecnología CMOS, opera con una fuente de alimentación de +5.0 Volts y esta dispuesta en una pastilla de 24 terminales.
CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA RAM 6116 Organización de la memoria: 2048 X 8
Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nseg.
Baja potencia en estado inactivo: 10 uW
Baja potencia en estado activo: 160 mW
RAM completamente estática: Norequiere reloj para su funcionamiento
Temperatura de operación: 0.75 grados centígrados
Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centígrados.
Potencia de disipación: 1 Watts Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la tecnología TTL
Es directamente compatible con las memorias de 16K estándar, tipo RAM 6132
DESCRIPCIÓN DE LAS TERMINALES
A0-A10: Lineas de direcciones
E/S0-E/S7: Entrada y Salida de datos
CS Habilitador de la pastilla
OE Habilitador de salidas
WE Habilitador para la escritura
Vcc Voltaje de alimentación+5.0 Volts
GND Terminal de tierra 0.0 Volts
OPERACIÓN DE LECTURA
Un dato será leído del dispositivo de almacenamiento RAM 6116, mediante la aplicación de un nivel alto en la terminal (WE)', unnivel bajo en (CS)', y estando en nivel bajo la terminal (OE)', con estas conexiones se dispone que se pueda leer la memoria RAM 6116, si se coloca un nivel alto en la terminales (OE)'. y/o (CS)' laslineas de E/S y/o la pastilla 6116 se ponen en estado de alta impedancia, respectivamente.
(CS)' posee la función de controlar la activación de la pastilla, la cual puede ser usada por un sistemacon microprocesadores para la selección del dispositivo.
La terminal (OE)' habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, la cual puede ser habilitada cada vez que el...
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