memoria RAM

LABORATORIO
SISTEMAS DIGITALES I (LETN-601)

LABORATORIO # 9

Realización:

MEMORIAS
1. OBJETIVOS
 Comprender la función del bus de datos, direcciones y las líneas de control lectura(read),
escritura(write) y selección de chip (CS) en una menoria RAM.
 Interpretar correctamente el diagrama de tiempos proporcionado por el fabricante de una
memoria RAM.
 Implementar un circuito paragrabar y comprobar los datos en una memoria RAM.

2.- PARTE TEÓRICA
INTRODUCCIÓN
Un elemento de memoria es aquel elemento capaz de almacenar un estado durante un tiempo
determinado.

ARQUITECTURA GENERAL DE UNA MEMORIA
El flip flop es la celda de memoria minima de las memorias electrónica. Un flip-flop, puede
almacenar un bit de información digital o binaria. Un arreglo de flip-flopsconforma el tipo de
memoria más rápido que existe: el registro.

Fig. Registro de 4 bits.
Una agrupación de 8 bits se denomina byte. Al grupo de 16 bits se les llama, específicamente,
palabra y al de 32 bits doble palabra.
Una memoria se compone de un conjunto de posiciones o direcciones que guardan palabras
binarias de información. Si se trabaja con bytes por ejemplo, cada posición de memoriaconsta
de 8 bytes. El numero de posiciones que tiene una memoria semiconductora se expresa en
Kilobytes. Un Kilobyte equivale a 1024 posiciones de memoria(1K=1024).
Se puede representar la memoria digital como un casillero ordenado en el que cada casilla
corresponde a una dirección en la que se guarda información. A continuación se muestra la
representación más usual de una memoria.DIRECCIÓN
0020H
0021H
0022H
0023H
0024H

1
0
0
1
1

0
1
1
0
1

1
0
0
1
0

1
1
1
0
1

CONTENIDO
0
0
1
0
0

1
0
1
1
1

0
1
0
0
1

1
1
0
1
0

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Ing. Jose Luis Apaza Gutierrez

Para acceder a una memoria se emplean decodificadores. Por ejemplo, una memoria de 256
posiciones de 8 bits, esta compuestainternamente, por un decodificador de direcciones de 8
entradas y 2n=28=256 salidas que se utilizan para señalar cada una de las posiciones como se
muestra en al figura 3.

Fig. 3. Estructura interna de una memoria de 256x8
En términos generales, el diagrama lógico de una memoria semiconductora es como se muestra
en la figura 4. Está compuesta por las siguientes líneas.

Fig. 4. Diagramalógico de una memoria

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Ing. Jose Luis Apaza Gutierrez

Bus de direcciones.- Por intermedio de este bus o grupo de bits se generan las direcciones
que apuntan o señalan hacia cualquier posición de la memoria en particular.
Bus de datos.- En el proceso de lectura el contenido de la posición localizada por el bus de
direcciones aparece poreste bus. En un sistema de lógica programada o de microcomputadores
es frecuente que varias memoria compartan el mismo bus de datos. Este es uno de los motivos
por el cual las salidas del bus de datos son de tipo tri-state. Este bus es bidireccional para el
proceso de lectura es salida y para la escritura cambia de dirección y se comporta como entrada.
CS.- Cuando esta señal esta activa bajo ( 0logico), el bus de datos se conecta al exterior. De lo
contrario permanece en estado de alta impedancia. Se usa esta señal para seleccionar entre
diferentes memorias que comparten el mismo bus.
WE.- A través de esta línea se le indica a los circuitos internos de la memoria sobre la
naturaleza de la operación que se pretende efectuar. Si WE es activa en baja por ejemplo, la
operación es deescritura y se pueden almacenar o escribir datos en cualquier posición de
memoria. Si we es alta la operación es de lectura, es decir, se puede leer cualquier posición de
memoria.
TIPOS DE MEMORIA
MEMORIA RAM
RAM son las siglas de random access memory, un tipo de memoria a la que se puede acceder
aleatoriamente; es decir, se puede acceder a cualquier byte de memoria sin acceder a los bytes...