Memorias de cambio de phase

MEMORIAS DE CAMBIO DE FASE
Phase Change Memory (PCM)

Por Antonio Otero Veiga

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MEMORIAS DE CAMBIO DE FASE
Phase Change Memory (PCM) Trabajo para la asignatura de Bases de la Informática Grado Ingenierí a Informática Executive

Profesor: Carlos Baeza Cervigo Alumno: Antonio Otero Veiga

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La tecnoLogía de memorias de cambio de fase ofrece una veLocidad hasta 30 veces superiora Las memorias fLash y 10 veces mas Los cicLos de escritura, Lo que La combierte en una aLternativa a sustituir a estas memorias.

Samsung empezará la producción de memorias PCM con una capacidad inicial de (64MB), siendo su primer objetivo los terminales móviles.

A finales de los años 60 los científicos descubrieron nuevos materiales cristalinos cuyas uniones atómicas son muy débiles, comoconsecuencia se les puede hacer cambiar de estructura muy rápidamente. Durante las siguientes décadas la idea de aplicar esta nueva tecnología a las memorias para introducirla en el mercado de dispositivos no era viable. Dado los problemas técnicos que causaba esta tecnología se aposto por otras lo que ha provocado un retraso de nada menos que 38 años en hacer funcional las memorias de cambio defase y en su lugar se han ido desarrollando otros tipos de memoria como las flash, que ya podemos encontrar en el mercado en dispositivos tan variados como una unidad de almacenamiento de datos usb, móviles, cámaras … Una investigación reciente llevada a cabo por las empresas IBM, Macronix y Quimoda da un gran impulso a las memorias de cambio de fase (Phase-change RAM), también llamada PRAM, , PCM,Ovonic unified memory o C-RAM). En esta investigación los científicos de estas empresas hicieron una demostración en los laboratorios de IBM, y mediante un prototipo de “cambio de fase” demostraron que esta memoria fue capaz de cambiar 500 veces mas rápido que las memorias Flash, utilizando menos de la mitad de la potencia necesaria para escribir datos en una celda.

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Aunque los chipsfuncionan, actualmente son menos poderosos que la ultima generación de las memorias flash, sin embargo esta tecnología se esta convirtiendo rápidamente y dadas sus ventajas y la dificultades cada vez mayores para encoger las flash se piensa que la memoria PCM podría ser la generación siguiente en memorias.

El prototipo no sólo demostró que hoy en día es aplicable esta tecnología, sino también quepuede superar en mucho la cualidades de otros tipos de memoria que se usan en la actualidad. Al comentar los resultados de esta investigación el vicepresidente de ciencia y tecnología de IBM, el Dr TC Chen dijo: “Estos resultados demuestran que la memoria de cambio de fase tiene un futuro muy brillante. Muchos esperan encontrar en la memoria flash limitaciones significativas en un futuro próximo” .La tecnología PCM propone una nueva forma de almacenar la información por medio de un material cristalino sometido a calor, lo que provoca que puede configurarse en uno de dos estados, cristalino y amorfo. Y no por medio de cargas eléctricas como es el caso de las memorias flash. Por medio de un pequeño electrodo que calienta cada celda de memoria, hace cambiar el estado de la célula al calentarsey posteriormente representa un 0 o un 1.

CRONOLOGÍA
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Septiembre de 1966: Stanford Ovshinsky realiza la primera petición de patente sobre cambio de fase. Junio de 1969: Ovshinsky obtiene la US Patent 3,448,302 con la primera operación fiable anunciada. Septiembre de 1970: Gordon Moore publica un artículo en Electronics Magazine. Junio de 1999: Se forma Ovonyx para la comercialización de latecnología. Noviembre de 1999: Lockheed Martin trabaja con Ovonyx para la aplicación a la industria aeroespacial. Febrero de 2000: Intel licencia la tecnología e invierte en Ovonyx. Diciembre de 2000: ST Microelectronics licencia la tecnología. Marzo de 2002: Macronix realiza una solicitud de patente sobre PRAM sin transistores. Julio de 2003: Samsung inicia su trabajo con PRAM. 2003-2005:...