memorias de solo lectura


MEMORIAS DE SOLO LECTURA
MEMORIAS BORRABLES:
EPROM: (Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROMsin grabar se lee como FF en todas sus celdas).
Memoria ROM que puede ser programada mediante rayos ultravioletas.
La memoria es un dispositivo que almacena información. Las operaciones básicas que se efectúan son escritura y lectura.
La escritura consiste en grabar datos en una determinada posición.
La lectura consiste en obtener la información contenida en una posición determinada.
Lacapacidad de las memorias suele darse en 8 bits o Bytes,)

CARACTERÍSTICA:
Maneja 2n registros con “n” líneas de dirección. Cada registro contiene el mismo número de bits y por lo general los fabricantes los diseñan en base a potencias de dos.

Se programan mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdasque reciben carga se leen entonces como un 0.

Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen.

Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte años, y se puede leer un número ilimitado de veces. Para evitar elborrado accidental por la luz del sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta.
EEPROM: Memoria ROM que puede ser programada mediante impulsos eléctricos.
Son semejantes a EPROM, en lugar de requerir luz ultravioleta para borrar el contenido de las localidades de memoria requerida de un voltaje aplicando en una de sus “pins”.

Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por untransistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.
Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra dentrode chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.

Procesos de borrar:
1.- la entrada CS/WE=+12v
2.- presentar la dirección en las entradas A0 – A9.
3.- presentar el dato a cargar en las entradas 01-08
4.- presentar un pulso de +26v en la entrada PROGRAMAR.

Estos pasos se deben repetir para cada dirección. El hecho de realizar de manera secuencial estos pasos desde ladirección 0 a la 1023 se conoce como “lazo de programación” (Program Loop). El número de lazos de programación que se requiere está en función del ancho del pulso. La fórmula para determinar el número de lazos es:
N x Tpw x 1000 milisegundos
Donde:
N= es el número de lazos de programación requeridos
Tpw= es el número de pulso en milisegundos.
El ancho del pulso puede variar de 0.1 a 1milisegundos. Por lo tanto, N puede variar de 100 a 1000, dependiendo del Tpw usado. Independientemente del Tpw usado, siempre se debe ejecutar un lazo aplicando solo un pulso a cada calidad. No se puede aplicar N pulso a una sola dirección y después a la siguiente dirección. Se debe programar todas las direcciones en cada sesión de programación y en total cada dirección debe recibir N pulsos y la sumade los pulsos debe ser igual o mayor de 100 milisegundos.

FLASH: Tecnología de almacenamiento derivada de la memoria EEPROM que permite la lectura-escritura. La tecnología flash permite velocidades de funcionamiento muy superiores a la EEPROM. Y su borrado puede ser parcial o total. Es un tipo de memoria informática basada en semiconductores, no volátil y reescribible. Posee muchas de las...