Memorias Electrónica Digital

ÍNDICE

1. Memoria RAM……………………………………………………………....2
2.1 Memoria SRAM…………………………………………………………….3
2.2.1 Estructura SRAM………………………………………………………3
2.2.2 Lectura y escritura…………………………………………………….5
2.2.3 Aplicaciones……………………………………………………………6
2.2 Memoria DRAM……………………………………………………………7
2.3.4 Lectura y escritura…………………………………………………….8
2.3.5Estructura………………………………………………………………10
2. Memoria ROM……………………………………………………………...11
3.3 Memoria EPROM………………………………………………………….12
3.4.6 ¿Cómo se borra?............................................................................13
3.4.7 Circuito integrado……………………………………………………..14
3.4 Memoria EEPROM………………………………………………………...15
2.2.1 Estructura………………………………………………………………...153. Memoria PLD……………………………………………………………….16
PREGUNTAS…………………………………………………………………...17
BIBLIOGRAFIA

1. MEMORIA RAM

La memoria RAM (Random Access Memory Module o memoria de acceso aleatorio) es un tipo de memoria que utilizan los ordenadores para almacenar los datos y programas a los que necesita tener un rápido acceso.

Se trata de una memoria de tipo volátil, es decir, que se borra cuandoapagamos el ordenador.
Los datos almacenados en la memoria RAM no sólo se borran cuando apagamos el ordenador, sino que también deben eliminarse de esta cuando dejamos de utilizarlos (por ejemplo, cuando cerramos el fichero que contiene estos datos).

Estas memorias tienen unos tiempos de acceso y un ancho de banda mucho más rápido que el disco duro, por lo que se han convertido en un factordeterminante para la velocidad de un ordenador. Esto quiere decir que, dentro de unos límites, un ordenador irá más rápido cuanta mayor sea la cantidad de memoria RAM que tenga instalada, expresada en MegaBytes o GigaBytes.

Los chips de memoria suelen ir conectados a unas plaquitas denominadas módulos, pero no siempre esto ha sido así, ya que hasta los ordenadores del tipo 8086 los chips dememoria RAM estaban soldados directamente a la placa base.

Configuración de la memoria RAM como circuito integrado:

1.1 MEMORIA SRAM

Dispositivos de memoria de semiconductor en los cuales los datos almacenados se quedarán permanentemente guardados, mientras se aplique energía eléctrica, sin necesidad de escribir periódicamente los datos en la memoria.

En este caso se utiliza uncircuito FLIP- FLOP formado por un par de transistores regularmente MOSFETS de doble gatillo utilizados por su bajo consumo de energía eléctrica.

Teniendo en cuenta que actualmente el almacenamiento temporal ha crecido en forma acelerada. Este tipo de memorias se consideran lentas en comparación a las memorias Dinámicas, pero su tamaño es mucho mas pequeño que la presenta una memoria dinámica.1.1.2 ESTRUCTURA SRAM
Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o leídas en cualquier orden, independientemente de cual fuera la última posición de memoria accedida. Cada bit en una SRAM se almacena en cuatro transistores, que forman un biestable. Este circuito biestable tiene dos estados estables, utilizados para almacenar(representar) un 0 o un 1. Se utilizan otros dos transistores adicionales para controlar el acceso al biestable durante las operaciones de lectura y escritura. Una SRAM típica utilizará seis MOSFET para almacenar cada bit. Adicionalmente, se puede encontrar otros tipos de SRAM, que utilizan ocho, diez, o más transistores por bit. [Esto es utilizado para implementar más de un puerto de lectura oescritura en determinados tipos de memoria de video.
Un menor número de transistores por celda, hará posible reducir el tamaño de esta, reduciendo el coste por bit en la fabricación, al poder implementar más celdas en una misma oblea de silicio.
Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los casos de tres transistores [] o uno solo se estaría hablando de memoria DRAM,...