MEMORIAS FLASH

MEMORIAS FLASH


INTEGRANTE:



Materia: Elementos de Computación
Fecha: 2 de Abril del 2015













INTRODUCCIÓN
La tecnología de almacenamiento ha ido avanzando conforme los años. Cada vez se buscan maneras de almacenar la información con mayor rapidez y eficiencia, para lograr un mejor manejo. Día con día la demanda de almacenamiento de información es cada vez mayor debido a la cantidadde datos que se requiere guardar. La memoria flash surge como una alternativa para almacenar datos de diferentes formatos que puede ser utilizado por diferentes dispositivos, donde otros medios de almacenamiento persistente, como los discos duros, no resolverían el problema correctamente.
















MARCO TEORICO
ANTECEDENTES
ROM, PROM, EPROM
Los ROM (Read Only Memory) son un medio clásico dealmacenamiento persistente. Los ROM son circuitos integrados o chips que almacenan información, de manera permanente, que solamente puede ser leída. No pueden ser modificados, excepto por la escritura o programación inicial que se realiza al momento de su fabricación (llamada mask programming). Para acceder a la información almacenada en un ROM, el chip cuenta con líneas de entrada que permitenespecificar una dirección de memoria y líneas de salida que transmiten el contenido del área de memoria especificada (ver anexo A). (Starostenko, 2005)
Cuando un ROM puede ser programado en un proceso posterior a su fabricación, se le llama PROM (Programable ROM). En un PROM, cada circuito que representa un bit cuenta con un fusible. Ya que un PROM nuevo cuenta con todos sus bits de datos en estadode 1 lógico y cada fusible se encuentra intacto, la programación consiste en fundir los fusibles de cada bit de memoria que sea necesario para generar valores 0. (Wikipedia, 2006)
Un paso más adelante se encuentran los EPROM (Erasable PROM), los cuales son ROMs que pueden ser programados varias veces. Aunque su nombre indica que pueden ser borrados para luego ser reescritos, esto no es un procesotrivial. (Starostenko, 2005) Al igual que los PROM, los EPROM limpios tienen todos sus bits establecidos a 1. Para programarlos es necesario hacer pasar una corriente eléctrica de entre 10 y 13 voltios a través del circuito de cada bit que se quiere establecer a cero (circuito que recibe el nombre de MOSFET, metal oxide semiconductor field-effect transistor). Dicha corriente provoca un fenómenode mecánica cuántica conocido como Fowler-Nordheim Tunneling que modifica la organización de los electrones del floating gate del MOSFET del bit deseado. Esto crea una barrera de electrones en el floating gate que impide que el campo magnético generado por el flujo de una señal de selección a través del control gate traspase una fina capa de oxido metálico e induzca en el floating gate una señalque se transmitiría luego a la línea de salida (bit line), resultando en un cero lógico para dicho bit (ver anexo B). (How Stuff Works, 2006)
En caso de tener un MOSFET establecido a 1 no existe tal barrera de electrones, entonces al momento de leer el bit almacenado una señal eléctrica fluye a través de la control gate, generando un campo magnético que induce un flujo eléctrico en la floating gate,resultando en la existencia de una señal eléctrica por la línea de salida (ver anexo C).
Luego, para borrar el contenido del EPROM es necesario aplicar energía suficiente como para romper la barrera creada por los electrones durante el proceso de escritura, lo cual se efectúa radiando el circuito con luz ultravioleta. Para este fin, los chips EPROM poseen una ventana de cuarzo en su partesuperior (ver anexo D). (Wikipedia, 2006)
La falta de practicidad de todos los componentes expuestos los hacen inadecuados para almacenar información persistentemente con miras a modificarla fácilmente. En todos ellos es necesario personal y equipo especializado para programarlos.
DESCRIPCION DE MEMORIAS FLASH
Una memoria flash es descrita como “memoria de silicio que puede retener los datos incluso...