Memorias Ram De Semiconductores

Terminologia:
Celda de memoria: dispositivo o circuito electrónico que se utiliza para almacenar un solo bit (0 o 1).
Palabra de memoria: grupo de bits (celdas) en una memoria que representa instrucciones o datos de algún tipo.
Byte: termino especial que se usa para una palabra de 8 bits, que es el tamaño de la palabra mas común en las microcomputadoras.
Capacidad: forma deespecificar cuantos bits pueden almacenarse en un dispositivo de memoria particular o bien en un sistema de memoria completo
Densidad: es otro termino para capacidad. Cuando se dice que un dispositivo de memoria tiene mayor densidad que otro significa que puede almacenar mas bits en la misma cantidad de espacio.
Dirección: numero que identifica la localidad de una palabra en la memoria. Cada palabraalmacenada en un dispositivo de memoria o sistema de memoria tiene una dirección única.
Operación de lectura: la operación por medio de la cual la palabra binaria almacenada en una localidad (direccion) especifica de la memoria es captada después transferida a otro dispositivo.
Operación de escritura: operación por medio de la cual se coloca una nueva palabra en cierta localidad de la memoriatambién se llama operación de almacenar.
Tiempo de acceso: medida de la velocidad de operación del dispositivo de memoria. Es la cantidad de tiempo que se requiere para realizar una operación de lectura. En términos mas específicos es el tiempo que transcurre entre la recepción de una nueva dirección en la entrada de memoria y la disposición de los datos en la salida.
Memoria volátil: cualquiertipo de memoria que requiere la aplicación de energía eléctrica a fin de almacenar información. Si se retira energía eléctrica toda información almacenada en la memoria se perderá.
Memoria de acceso aleatorio (RAM): memoria en la cual la localización física real de una palabra de la memoria no tiene efecto sobre el tiempo que se tarda en leer de esa localidad o bien escribir en ella.

Memoriade acceso secuencial (SAM): tipo de memoria en el cual el tiempo de acceso no es constante sino que varia según la localidad de la dirección.cierta palabra almacenada es hallada por sicesion a travez de todas las localidades de direcciones hasta que se llega a la dirección deseada.
Memoria de lectura y escritua(RWM): cualquier memoria de la que se puede leer información o bien escribir en ellacon la misma facilidad.
Memoria de solo lectura (ROM): una extensa clase de memorias de semiconductor diseñadas para aplicaciones donde la proporción de operaciones de lectura a operaciones de escritura es muy alta.
Dispositivos de memoria estatica: dispositivos de semiconductor en los cuales los datos almacenados se quedaran permanentemente guardados en tanto se aplique energía sin necesidadde escribir datos periódicamente en la memoria.
Dispositivos de memoria dinámica: dispositivos de memoria de semiconductor en los cuales los datos almacenados no se quedaran permanentemente guardados aun con energía aplicada a menos que los datos se reescriban en forma periódica en la memoria. Esta operación se conoce como coperacion de “refresco”.
Memoria interna: también recibe el nombre dememoria principal o memoria de trabajo de la computadora en ella se guardan las instrucciones y datos sobre las cuales trabaja la CPU es la memoria mas rápida del sistema de computo y siempre es un semiconductor de memoria
Memoria secundaria: este tipo de memoria también se conoce como memoria auxiliar almacena grandes cantidades de información externa a la memoria interna de la computadora. Esmas lenta que la memoria interna y siempre es no volátil.
Memorias ROM.
Las memorias de solo lectura son un tipo de memoria de semiconductor que estan diseñadas para retener datos que son permanentes o que no cambian con mucha frecuencia. Durante la operación normal no pueden escribirse nuevos datos en una ROM pero si puede leerse unformacion de ella.

Diagrama de bloques en ROM:
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