Memorias ram

Tipos de Memoria
FRANCISCO JAVIER MENDOZA. FERNANDO PALACIOS AVILA. MATERIA: ARQUITECTURA DE COMPUTACION. PROFESOR: BALDENEBRO. UNIVER FLORIDO ISC 5 CUATRIMESTRE.

TIPOS DE MEMORIAS TIPOS DE MEMORIAS

MEMORIA PRINCIPAL

MEMORIA DE ALMACENAJE ALAMCENALAMACEN DE SECUNDARIO RESPALDO

MEMORIA DE LECTURA/ESCRITURA RAM ( VOLÁTIL)

MEMORIA DE SOLO LECTURA ROM (NO VOLÁTIL)

ACCESO SEMIALEATORIO

ACCESO SERIAL

ESTÁTICAS

DINÁMICAS

MEMORIAS BORRABLE

MEMORIAS PERMANENTES

DISCOS •Floppy •Duro •CD-ROM

•Cinta magnética •Burbuja magnéticas •CCD

•EPROM •EEPROM •FLASH

•M-ROM •PROM

Memorias de Acceso Aleatorio RAM
Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como Memorias RAM de la sigla en inglés Random Access Memory. Se caracterizan por ser memorias delectura/escritura y contienen un conjunto de variables de dirección que permiten Seleccionar cualquier dirección de memoria de forma directa e independiente de la posición en la que se encuentre. Estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la información cuando no hay energía y se clasifican en dos categorías básicas: la RAM estática y la RAM dinámica.

Memoria RAM estática
• Este tipo dememoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores MOSFET, aunque también existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares.

La celda se activa mediante un nivel activo a la entrada superior y los datos se cargan o se leen a través de las líneas laterales.

Memoria RAMdinámica
• Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dynamic Random Access Memory), a diferencia de la memoria estática se compone de celdas de memoria construidas con condensadores. Las celdas de memoria son de fabricación más sencillas en comparación a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias de gran capacidad.

Memoria RAM dinámica
La operación de la celda es similar ala de un interruptor, cuando el estado en la fila se encuentra en alto, el transistor entra en saturación y el dato presente en el bus interno de la memoria (columna) se almacena en el condensador, durante una operación de escritura y se extrae en una operación de lectura. El inconveniente que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que recargar la información almacenada en las celdas, porlo cual estas celdas requieren de circuitería adicional para cumplir esta función. A este función especial se llama de refresco

Ventajas y Desventajas de los dos sistemas de memoria

Memoria

Ventajas
•La velocidad de acceso es alta. •Para retener los datos solo necesita estar energizada. •Son mas fáciles de diseñar.

Desventajas
•Menor capacidad, debido a que cada celda dealmacenamiento requiere mas transistores. •Mayor costo por bit. •Mayor consumo de Potencia.

SRAM

DRAM

•Mayor densidad y capacidad. •Menor costo por bit. •Menor consumo de potencia.

•La velocidad de acceso es baja. •Necesita recarga de la información. almacenada para retenerla (refresco). •Diseño complejo.

Parámetros de las memorias
El parámetro básico de una memoria es su capacidad, la cualcorresponde al total de unidades que puede almacenar. En la actualidad se consiguen memorias megabytes. El tiempo de acceso es otro parámetro importante en las memorias. Este corresponde al tiempo que tarda la memoria en acceder a la información almacenada en una dirección. Generalmente este tiempo se designan como tacc en las fichas técnicas de estos dispositivos. Memoria
Núcleo de Ferrita CintaMagnética Disco Magnético CD ROM Memorias Integradas MOS Memorias Integradas Bipolares

en tamaños del orden de Tiempo de Acceso
0.3 - 1.0 us 5 ms - 1s 10ms - 50 ms 200 ms – 400 ms 2ns – 300 ns 0.5ns – 30 ns

Un chip de memoria de Lectura/Escritura típico de 1 k (RAM)
CS RD WR • Decodifica dor interno Decodifica dor interno 1024X8 1024X8 Una memoria requiere líneas de dirección para...