Memorias semiconductoras

Republica Bolivariana de Venezuela
Ministerio Del P.P para la Educacion
Universidad Nacional Experimental de Guayana
Seccion 04

Profesora: Bachilleres;
Avila, Nancy Garcia Joisamar
C.I:20.554.124
Mayo Rafael
C.I:
Puerto Ordaz 26/02/2011
* Parte Teorica

1. Definicion Memorias Semiconductoras:

Las unidades de memoria son módulos conformados por un conjunto decerrojos o condensadores agrupados de tal forma que almacenan varias palabras binarias de n bits. Cada una de ellas tiene la capacidad de almacenar un bit de información (1 o 0), y se conocen con el nombre de celdas de memoria.
Los ordenadores y gran mayoría de equipos electrónicos requieren de elementos de memoria para guardar datos y/o instrucciones de programa. El tipo de memoria puede serdiferente dependiendo del uso y tiempos de acceso requeridos. Podemos encontrar básicamente dos tipos:

- Memoria principal, generalmente de acceso rápido, sobre la que se ejecutan la mayoría de instrucciones o programas. Suele ser de acceso aleatorio (Random Acces Memory, RAM), y se definen como aquellas memorias en las que el tiempo requerido para acceder (guardar o leer) a ellas es independiente desu localización física, y generalmente corto.

- Memoria de almacenamiento masivo. También conocidas como memorias serie o secuenciales. En ellas los datos están solo disponibles en la secuencia u orden en la que originalmente se guardaron, y por tanto, el tiempo de acceso a ella dependerá del lugar que ocupe en ella. Se utilizan generalmente para guardar programas que no se usan mucho (SSOO).2. Caracteristicas de las Memorias Semiconductoras

s- Tiempo de Acceso: Tiempo de acceso es el intervalo de tiempo que transcurre desde el comienzo de una operación de lectura y hasta la aparición de los datos en la salida. El ciclo de memoria es el tiempo mínimo permitido entre dos operaciones de lectura/escritura consecutivas. Las memorias MOS poseen tiempos de acceso que van de nanoa cientos de nanosegundos.

*Bajo: Ej. SRAM (cache), DRAM, ROM (En general las de tipo semiconductor).
*Alto: Ej. Unidades magnéticas ópticas.
En las memorias semiconductoras RAM:
-El Tiempo de Acceso a n datos de una página es:
# Trac*n en DRAM.
# Trac+(n-1)*Tpc en FPM/ EDO RAM (Tpc= tiempo de ciclo en modo pagina).
Tpc es menor en EDO DRAM que en FPM DRAM.
-EL tiempo de acceso paran palabras (de m Bits) es:
Trac + (n-1)Tclk
-El tiempo de acceso de n palabras (de m Bits) en DDR RAM es:
Trac + (n-1)*Tclk/2.

Memoria | Tiempo de Acceso |
Núcleo de Ferrita | 0.3 - 1.0 us |
Cinta Magnética | 5 ms - 1s |
Disco Magnético | 10ms - 50 ms |
CD ROM | 200 ms – 400 ms |
Memorias Integradas MOS | 2ns – 300 ns |
Memorias Integradas Bipolares | 0.5ns – 30 ns|

b- Tamaño de la Palabra: Grupo de celdas de memoria que representan instrucciones o datos de algún tipo. Algunos palabras de memoria son:

– BYTE. Palabra de 8 bits.
– NIBBLE. Palabra de 4 bits.
– WORD. Palabra de 16 bits.
La longitud de palabra se incrementa colocando la salida de dos o más circuitos de memoria en paralelo.

t- Capacidad de direccionamiento:

c- Bus de Datos:Son las líneas que llevan información entre los integrados y el controlador. Por lo general están agrupados en octetos siendo de 8,16,32 y 64 bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus de datos del procesador. En el pasado, algunos formatos de modulo, no tenían un ancho de bus igual al del procesador. En ese caso había que montar módulos en pares o en situaciones extremas, de a 4 módulos,para completar lo que se denominaba banco de memoria, de otro modo el sistema no funciona. Esa es la principal razón de haber aumentar el número de pines en los módulos, igualando el ancho de bus de procesadores como el Pentium de 64 bits a principios de los 90.
e- Bus de Direcciones: Es un bus en el cual se colocan las direcciones de memoria a las que se requiere acceder. No es igual al bus de...