Memorias

TIPOS DE MEMORIAS
Memoria RAM
La memoria de acceso aleatorio se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. La tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización para realizar las funciones de lectura-escritura de manera quesiempre está sincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO que eran asíncronas
SDR SDRAM: Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos
RDRAM: Se presentan en módulos RIMM de 184 contactos. Fue utilizada en los Pentium 4. Era la memoria más rápida en su tiempo, pero por su elevadocosto fue rápidamente cambiada por la económica DDR
DDR SDRAM: Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj.
DDR2 SDRAM: Módulos de memoria instalados de 256 MiB cada uno en un sistema con doble canal.
DDR3 SDRAM: Las memorias DDR 3 son una mejora de lasmemorias DDR 2, proporcionan significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.
Memoria ROM
La memoria de solo lectura, conocida también como, es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrónicos, que permite sólo la lectura de la información y no su escritura, independientemente de lapresencia o no de una fuente de energía.
PROM: Memoria de solo lectura programable. Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Pequeñas PROM han venido utilizándose como generadores de funciones, normalmente en conjunción con un multiplexor.
EPROM: Son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory. Esun tipo de chip de memoria ROM no volátil. Está formada por celdas de Metal-Oxide Semiconductor o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1. Las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas quereciben carga se leen entonces como un 0. Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta.
EEPROM: ROM programable y borrada eléctricamente. Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioleta. Son memorias novolátiles. Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
La memoria FLASH: derivada de la memoria EEPROM, permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre medianteimpulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos denominados memoria USB.
PLD
PLD son las siglas de Programmable Logic Design o dispositivos de lógica programable. Estos circuitosintegrados permiten generar dentro del mismo funciones que no disponemos en los C.I. comerciales (decodificadores, comparadores, sumadores, etc). Podemos asimilarlo con un circuito en blanco dentro del cual podemos generar funciones adecuadas al problema que debemos resolver

PAL: Las PROM son ideales para convertidores de código y para almacenar datos. Donde se pudiesen realizar las funciones...