Memorias

INDICE . .

1.-TERMINOLOGIA BASICA
1.1.- FUNCION
1.2.-ESTRUCTURA INTERNA
1.2.1.- CELULAS DE SOLO LECTURA
1.2.2.-CELULAS SRAM
1.2.3.-CELULAS DRAM
1.3.-CAPACIDAD
1.4.-VOLATILIDAD
1.5.-TIEMPO DE ACCESO
1.6.-CELDAS DE MEMORIA
1.7.-DIRECCION1.8.-PALABRA
1.9.-DIRECCION DE LECTURA
1.10.-OPERACIÓN DE ESCRITURA
1.11.-CICLO DE MEMORIA
2.-TIPOS DE MEMORIAS
2.1.-RAM DINAMICA 2.2.-RAM ESTATICA
2.3.-ROM2.4.-PROM
2.5.-EPROM
2.5.1.- CAPACIDADES MEMORIAS EPROM 2.6.-EEPROM2.7.-FLASH
3.-AREGLOS DE MEMORIAS
3.1.-EXPANSION DE PALABRA
3.1.1.- Conexión de dos palabras para expandir una palabra
3.1.2.- Expansión de la longitud de palabra a 16 bits con ROM
3.1.3.- Expansión de la longitud de palabra a16 bits con RAM
3.2 EXPANSION DE CAPACIDAD
3.2.1 Expansión de 2 RAM de 1K x4 a una Ram de 1K x 8 3.2.2 Expansión de 8 ROM de 1K x4 a una ROM de 4K x 8


1.TERMINOLOGIA BASICA .

1.1 FUNCION
Una memoria se definecomo un conjunto de elementos, capaces de memorizar el nivel de una variable binaria (Bit) , que están agrupados en posiciones de tal manera que solamente es posible introducir información o leer la que contienen simultáneamente un número reducido de ellas.

1.2 ESTRUCTURA INTERNA
El diagrama que se muestra a continuación corresponde a la estructura interna de un chip de memoria de accesoaleatorio:

Como se puede observar, está compuesta por los siguientes bloques funcionales:
* Matriz de células de memoria: cada uno de estos elementos es capaz de almacenar un bit.
* Descodificadores de direcciones: el bus de direcciones se divide en dos partes, una para seleccionar las filas y la otra para seleccionar las columnas. La célula en la intersección es aquella sobre la que serealizara la operación.
* Amplificadores sensores: tienen como misión la de regenerar el valor lógico de la célula seleccionada. Es un elemento crítico en las memorias dinámicas en las cuales de debe realizar el refresco.

* Interfaz con el bus de datos: habilita los componentes adecuados para realizar la operación de lectura o escritura deseada.

1.2.1 Células de solo lectura
Cada tipo dememoria, RAM, ROM, EPROM, etc., tiene una célula básica diferente y, dentro de algunos de estos tipos, existen varias alternativas para su realización.
Estos tipos de células están basados en fusible, anti fusibles y transistores. En las memorias de tipo ROM el fabricante incluye los transistores de las células que deban tener el valor 0 y deja el resto sin conectar.
Las memorias tipo PROMtienen un transistor especial, cuya unión con la línea de selección de fila incorpora un fusible o un anti fusible, ambos programables por el usuario, creando en ese momento los valores lógicos correspondientes.

1.2.2 Células SRAM
El elemento básico de este tipo de memoria es el biestable, que permanece en un estado lógico 0 o 1 hasta que se escribe un nuevo valor. Como es conocido, la forma as...