Memorias

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Memoria ROM: Memoria de acceso directo con sus datos cifrados o codificados permanentemente, sin posibilidad de cambiarse después de su manufactura. Posteriormente, la información solo podráleerse y no permite la escritura de nuevos datos. La ROM es una memoria no volátil, lo que significa que almacena sus datos sin la necesidad de energía eléctrica.

Memorias PROM: Son memorias ROM(acceso directo) programables por el usuario mediante el uso de fusibles donde al quemarse dicho fusible se almacena un “0” lógico permanente y de dejarse el fusible intacto, se almacena un “1” lógico.Estos datos una vez programados, no pueden borrarse o reprogramarse.

Memorias EPROM: Esta memoria es parecida a la memoria PROM con la diferencia de que esta puede programarse y posteriormenteborrarse o reprogramarse por el usuario tantas veces como se desee. Una vez programada, es una memoria no volátil ya que contendrá sus datos almacenados indefinidamente. Sus celdas de almacenamiento sontransistores MOSFET que tienen una compuerta de silicio sin ninguna conexión eléctrica. En su estado normal, cada transistor esta apagado y la celda guarda un “1” lógico. Al encenderse el transistormediante un pulso de alto voltaje, los electrones son inyectados en la compuerta y estos permanecen en ella debido a que no hay dirección de descarga por lo que el transistor permanece encendido de formapermanente, almacenando un “0” lógico.
Para borrar el contenido de una EPROM una vez programada esta, se puede borrar su contenido exponiendo la EPROM a la luz ultravioleta UV la cual se aplica através de una ventanilla que se encuentra sobre el encapsulado. El problema es que la luz UV borra todas las celdas al mismo tiempo, por lo que una EPROM borrada solo almacena unos lógicos.

MemoriasEEPROM: Es una memoria muy parecida a la EPROM a diferencia de que esta presenta una mejora, es eléctricamente borrable. Al aplicar un alto voltaje (21V) entre la compuerta y el drenaje del MOSFET,...