Memorias
PRESENTADO A: ING. BERNARDO VÁSQUEZ
PRESENTADO POR: LAURA MARGARITA ALMANZA FONSECA GIAN BAUTISTA SANCHEZ LEIDY GONZALEZ LLANOS GLORIA GUERRERO ORTEGA
UNIVERSIDAD DE LA COSTA, CUC FACULTAD DE INGENIERÍA PROGRAMA DE INGENIERA DE SISTEMAS SISTEMAS DE EMBEBIDOS I
BARRANQUILLA 2012
Memorias
La memoria es la parte del sistema que almacena datos binarios en grandescantidades. Las memorias semiconductoras están formadas por matrices de elementos de almacenamiento que pueden ser latches o condensadores.
RAM
(Random- Acces Memory, memoria de acceso aleatorio) es un tipo de memoria en la que se tarda lo mismo en acceder a cualquier dirección de memoria y estas se pueden seleccionar en cualquier orden. Tanto en una operación de lectura como escritura. Todas lasRAM poseen la capacidad de lectura y escritura. Debido a que las memorias RAM pierden los datos almacenados cuando se desconecta la alimentación, reciben el nombre de memorias volátiles.
RAM ESTATICA:
Se compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores MOSFET aunque también existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares. lacelda se activa mediante un nivel activo a la entrada superior y los datos se cargan o se leen a través de las líneas laterales. FUNCIONAMIENTO: 1) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica alta cuándo indica el valor 1. 2) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica baja cuándo indica el valor 0. 3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda lainformación se pierde. 4) Este tipo de celdas no se descargan mientras la computadora este encendida, por ello es que son sumamente rápidas ya que no presentan el fenómeno de "refrescar memoria" de las memorias DRAM.
SRAM Sincrónica Al igual que en los sistemas sincrónicos, este tipo de memoria tiene una entrada de reloj, la cual le permite operar en sincronía con otros dispositivos. Estacaracterística no aporta mejores beneficios, La ventaja de estas memorias viene proporcionada por lo que se podría llamar su funcionamiento automático, guiado por la señal de reloj, por lo que no es necesario ocuparse de generar las señales de control. SRAM de Ráfaga Las memorias de ráfagas (burst) son sincrónicas y se caracterizan por incluir un contador que permite que la memoria genere internamente ladirección a la que debe acceder, Esto permite acceder de forma más rápida a la información en memoria. SRAM Pipeline Con los dos tipos de memorias anteriores se consigue el acceso a posiciones consecutivas de forma rápida. Para mantener esta velocidad cuando se cambia de secuencia, las memorias pipeline incluyen un buffer para almacenar la dirección y los datos actuales proporcionados por la memoria.RAM DINAMICAS: Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dinamic Random Access Memory), a diferencia de la memoria estática se compone de celdas de memoria construidas con condensadores. Las celdas de memoria son de fabricación más sencillas en comparación a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias de gran capacidad. FUNCIONAMIENTO: La celda de memoria es la unidadbásica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construcción de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como uninterruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador. FPM DRAM Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza...
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