Memorias

Páginas: 29 (7013 palabras) Publicado: 27 de octubre de 2015
Memorias RAM
Las memorias RAM son aquellas que permiten accesos de lectura y escritura de datos e instrucciones por
parte del procesador o cualquier otro dispositivo con capacidad para ello. Tienen la particularidad de que
mantienen el dato mientras tienen energía, y lo pierden si esta falla, por lo que también se les llama
Volátiles. En un principio el acrónimo bastaba para distinguirlas de lasmemorias ROM, módulos de
memoria de sólo lectura cuyos datos se grababan en el proceso de fabricación de la memoria y que por lo
tanto no perdían la información en ausencia de energía.
Las memorias RAM primeras se fabricaron con elementos toscos basados en medios magnéticos; con la
aparición de los semiconductores surgieron las RAM transistorizadas. Estas se componen de una matriz
de elementos dealmacenamiento (flip-flop o biestables) mas una lógica combinacional de acceso. Son
memorias bastante rápidas, pero limitadas en el aspecto de la integración.
Debido a esta limitación aparecieron las memorias RAM llamadas dinámicas, en las cuales los elementos
de almacenamiento se simplifican mucho a cambio de que la persistencia del dato almacenado tiene un
límite si no es reescrito con ciertaperiodicidad (refresco). La simplificación de la celda implica mayor
capacidad de integración lo que permite fabricar memorias de mayor capacidad al mismo coste (con el
mismo número de transistores), pero a cambio presentan un mayor tiempo de acceso; en parte por la
necesidad de refresco, que obliga a detener todo acceso durante el tiempo que dura este proceso, y en
parte por el método de acceso quevaría ligeramente.
Naturalmente hace falta introducir una nueva nomenclatura, y si las nuevas memorias eran dinámicas o
DRAM, las otras deberían llamarse Estáticas o SRAM
Con las sucesivas etapas de perfeccionamiento del procesador, el sistema de memoria ha sufrido también
continuas adaptaciones tanto de organización (introducción de niveles jerárquicos) como tecnológicos
(aumentar el tamaño ymejorar los tiempos de acceso) para poder adaptarse a los cada vez más exquisitos
requerimientos de datos en cantidad y velocidad. En los últimos tiempos estos cambios han tenido como
núcleo central las memorias DRAM y han ido apareciendo sucesivas nomenclaturas para cada una de las
nuevas aportaciones: FPDRAM, EDO, SDRAM, RDRAM (RAMBUS) y junto con estas han aparecido
los soportes en los que seintegran al computador y que casi pueden confundirse con las propias memorias
SIMM, DIMM, RIMM
Nuestro objetivo es presentar la interfaz de acceso de las memorias SRAM para compararla con la
interfaz de acceso de las DRAM, resaltando su diferencia (que se inclina a favor de las SRAM, más
simple). Luego trataremos de presentar las sucesivas mejoras que ha sufrido la interfaz de las DRAM en
elpropósito de mejorar sus tiempos de acceso.

SRAM
Una SRAM está organizada como un array de elementos de memoria junto con un decodificador de
direcciones y diversos adaptadores de entrada/salida. Una celda de memoria puede representarse como un
latch tipo D sincronizado, una puerta AND y un adaptador de salida

1

Selección de fila

Entrada

D Q

Salida

C
Habilitación de escritura

Las líneas dedirecciones alimentarán un decodificador que tiene por objeto generar la señal de selección
de fila. Las líneas de datos generalmente están multiplexadas y son utilizadas como entrada cuando la
transacción a realizar es de escritura y como salida cuando se trata de una lectura. La función del
adaptador de salida es mantener la salida en alta impedancia cuando la memoria está deshabilitada.

En el esquemavemos un diagrama de una memoria SRAM (74f410 de Philips Semiconductor) en el que
además se incorpora un registro de salida que mantiene disponible el tiempo que sea necesario, mientras
se puede poner en marcha un nuevo proceso de lectura o escritura.
Las líneas de control típicas de un módulo SRAM son CS y WE, (En el diagrama vemos además una
señal de reloj CP que permite cargar el registro y...
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