Memorias

Electrónica Industrial

Unidad 10. Memorias

Unidad 10 Memorias
Andres.Iborra@upct.es Juan.Suardiaz@upct.es Septiembre 2002

⋅1⋅

Electrónica Industrial

Unidad 10. Memorias

CONTENIDO
Unidad 10. Memorias.
10.1 Principios de las memorias semiconductoras. 10.2 Memorias de acceso aleatorio (RAM). 10.3 Memorias de solo lectura (ROM). 10.4 Memorias flash. 10.5 Comparación entre losdiferentes tipo de memoria. 10.6 Expansión de memorias.

OBJETIVOS ESPECÍFICOS
! Estudiar las características básicas de las memorias. ! Saber qué es una memoria RAM y cómo funciona. ! Conocer la diferencia entre RAM estática (SRAM, Static RAM) y RAM dinámica (DRAM, Dynamic RAM). ! Saber qué es una memoria ROM y cómo funciona. ! Conocer cómo se programa una ROM. ! Estudiar los distintos tipos dePROM. ! Estudiar los principios de funcionamiento y los distintos tipos de memorias flash. ! Conocer como asociar las memorias ROM y RAM para aumentar la longitud y capacidad de palabra.

⋅2⋅

Electrónica Industrial

Unidad 10. Memorias

1. PRINCIPIOS DE MEMORIAS SEMICONDUCTORAS. Unidades de datos binarios La unidad menor de datos binarios es el bit (1/0). 8 bits = 1 byte 4 bits = 1nibble 2 bytes = 1 word Matriz de memoria semiconductora básica Celda = Elemento básico de almacenamiento.

1Kbit = 1024 bits = 210 bits
⋅3⋅

Electrónica Industrial

Unidad 10. Memorias

1. PRINCIPIOS DE MEMORIAS SEMICONDUCTORAS. Dirección y capacidad de las memorias La posición de una unidad de datos en una matriz de memoria se denomina dirección.

Normalmente los computadores organizan sumemoria en bytes. La capacidad de memoria es el número total de unidades de datos que se puede almacenar. Diagrama de bloques de una memoria

⋅4⋅

Electrónica Industrial

Unidad 10. Memorias

1. PRINCIPIOS DE MEMORIAS SEMICONDUCTORAS. Operaciones básicas de las memorias Escritura

Lectura

⋅5⋅

Electrónica Industrial

Unidad 10. Memorias

2. MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM).La familia de memorias RAM
Las RAM son memorias de lectura-escritura en las que los datos se pueden escribir o leer en cualquier dirección seleccionada en cualquier orden.

Las RAM estáticas utilizan flip-flops como elementos de almacenamiento ⇒ Mantener la alimentación. Son rápidas, pero tienen menor capacidad de almacenamiento que las DRAM. Las RAM dinámicas utilizan condensadores comoelementos de almacenamiento ⇒ Necesidad de refresco. Son más lentas que las estáticas, pero tienen mayor capacidad.

⋅6⋅

Electrónica Industrial

Unidad 10. Memorias

2. MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM). RAM estática (SRAM)
Celda de almacenamiento básica.

Matriz básica de la memoria SRAM.

⋅7⋅

Electrónica Industrial

Unidad 10. Memorias

2. MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM).SRAM asíncrona básica - Estructura(I)

⋅8⋅

Electrónica Industrial

Unidad 10. Memorias

2. MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM). SRAM asíncrona básica – Ciclos de lectura/escritura(II)
Ciclo de lectura

Ciclo de escritura

⋅9⋅

Electrónica Industrial

Unidad 10. Memorias

2. MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM). SRAM síncrona de ráfaga (I) – Estructura

SRAM síncrona de flujodirecto: No dispone de un registro de salida de datos. Los datos de salida fluyen asíncronamente hacia las líneas de E/S de datos a través de los buffers de salida. SRAM síncrona con pipeline: Dispone de un registro de salida de datos. Los datos se presentan síncronamente en las E/S de datos.
⋅10⋅

Electrónica Industrial

Unidad 10. Memorias

2. MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM). SRAMsíncrona de ráfaga (II) – Modo de operación
El modo de operación en ráfaga permite leer o escribir en hasta cuatro direcciones utilizando una única dirección (bits más significativos).

La memoria caché es una memoria de alta velocidad y relativamente pequeña que almacena los datos o instrucciones más recientemente utilizados por la memoria principal (DRAM), la cual es más grande pero más lenta....