memorresistores
Páginas: 9 (2108 palabras)
Publicado: 21 de mayo de 2013
Los Memorresistores
1. Descubrimiento e historia
Después de 37 años de haber sido postulada unos investigadores de la compañía Hewlett-Packard consiguen construir la primera memorresistencia, un nuevo tipo de componente electrónico fundamental.
Todos conocemos lo que es un solenoide, una resistencia o un condensador. La memorresistencia sería uno más junto a esos tres componenteselectrónicos básicos. Fue propuesto hace mucho tiempo, pero hasta ahora no se había materializado.
La memorresistencia pues en esencia es una resistencia que guarda memoria de su estado resistivo anterior incluso si no hay alimentación eléctrica.
En 1971, Leon Chua de la Universidad de California en Berkeley notó una ausencia en la lista de los componentes habituales de los circuitos. Cada elementoexpresa una relación entre dos de cuatro variables electromagnéticas: carga, corriente, voltaje y flujo magnético. Propuso que, teóricamente, debería de haber un componente que se hiciera más o menos conductor al paso de la corriente dependiendo de la cantidad de carga que hubiera pasado a través de él. Según Chua la memorresistencia o memorresistor sería el cuarto componente fundamental de loscircuitos, con propiedades que no podrían ser duplicadas mediante la combinación de los otros tres elementos.
R. Stanley Williams, físico de los laboratorios HP, dice que la propuesta de Chua llamó su atención y que ese concepto podría explicar el comportamiento extraño que los dispositivos electrónicos construidos por él y su equipo a veces tenían. Así que se planteó la creación dememoresistencias de manera aislada como dispositivos de memoria.
Ahora publica en Nature un modelo matemático que explica el funcionamiento de un prototipo de memorresitencia y su implementación física en un dispositivo real.
Para su construcción emplearon una lámina de óxido de titanio de tres nanómetros de espesor situada entre dos láminas de platino.
La lámina de óxido de titanio tiene diseminadascargas positivas o divots (vacantes), allí donde debería de haber átomos de oxígeno, que le confieren propiedades electrónicas especiales. Aplicando una corriente alterna a electrodos cercanos a los divots se consigue que éstos cambien de tener carga positiva a negativa. Cuando los electrodos están cargados positivamente estas cargas positivas son empujadas y dispersadas a través del material,aumentando el flujo de corriente en el segundo electrodo. Cuando el voltaje se aplica a la inversa se rebaja drásticamente la corriente en el segundo electrodo. Al cortarse la aplicación de corriente las vacantes paran de moverse, dejando a la memorresistencia en un estado de alta o baja resistencia.
La resistencia de un memorresistor cambia, por tanto, dependiendo de la cantidad de voltaje y deltiempo de aplicación del mismo. Según el modelo matemático de estos investigadores el estado de resistencia debe de durar años.
Chua dice que nunca había esperado que alguien consiguiera implementar la memorresistencia a lo largo de su vida, propuesta que por cierto había ya olvidado, y se muestra maravillado por el descubrimiento.
2. Funcionamiento
En 1996, Stanley Williams de HewlettPackard, comenzó a realizar estudios sobre arquitecturas para computadoras que no fueran susceptibles a defectos a escala nano. Esta investigación eventualmente llevo al equipo al desarrollo de los Memristores
El concepto general es una matriz de cables (conductores), entre cada par de conductores de toda la matriz, existen llaves (interruptores) que en primera instancia se encuentran abiertos. Siconectamos una fuente de alimentación entre un par de conductores, al principio esta disposición no almacena o posee información alguna
Pero si empezamos a cerrar algunos de estos interruptores podemos programar la matriz para que contenga una cantidad impresionante de información. Se puede abrir o cerrar cualquier interruptor particular, si queremos manejar otro interruptor solo debemos...
1. Descubrimiento e historia
Después de 37 años de haber sido postulada unos investigadores de la compañía Hewlett-Packard consiguen construir la primera memorresistencia, un nuevo tipo de componente electrónico fundamental.
Todos conocemos lo que es un solenoide, una resistencia o un condensador. La memorresistencia sería uno más junto a esos tres componenteselectrónicos básicos. Fue propuesto hace mucho tiempo, pero hasta ahora no se había materializado.
La memorresistencia pues en esencia es una resistencia que guarda memoria de su estado resistivo anterior incluso si no hay alimentación eléctrica.
En 1971, Leon Chua de la Universidad de California en Berkeley notó una ausencia en la lista de los componentes habituales de los circuitos. Cada elementoexpresa una relación entre dos de cuatro variables electromagnéticas: carga, corriente, voltaje y flujo magnético. Propuso que, teóricamente, debería de haber un componente que se hiciera más o menos conductor al paso de la corriente dependiendo de la cantidad de carga que hubiera pasado a través de él. Según Chua la memorresistencia o memorresistor sería el cuarto componente fundamental de loscircuitos, con propiedades que no podrían ser duplicadas mediante la combinación de los otros tres elementos.
R. Stanley Williams, físico de los laboratorios HP, dice que la propuesta de Chua llamó su atención y que ese concepto podría explicar el comportamiento extraño que los dispositivos electrónicos construidos por él y su equipo a veces tenían. Así que se planteó la creación dememoresistencias de manera aislada como dispositivos de memoria.
Ahora publica en Nature un modelo matemático que explica el funcionamiento de un prototipo de memorresitencia y su implementación física en un dispositivo real.
Para su construcción emplearon una lámina de óxido de titanio de tres nanómetros de espesor situada entre dos láminas de platino.
La lámina de óxido de titanio tiene diseminadascargas positivas o divots (vacantes), allí donde debería de haber átomos de oxígeno, que le confieren propiedades electrónicas especiales. Aplicando una corriente alterna a electrodos cercanos a los divots se consigue que éstos cambien de tener carga positiva a negativa. Cuando los electrodos están cargados positivamente estas cargas positivas son empujadas y dispersadas a través del material,aumentando el flujo de corriente en el segundo electrodo. Cuando el voltaje se aplica a la inversa se rebaja drásticamente la corriente en el segundo electrodo. Al cortarse la aplicación de corriente las vacantes paran de moverse, dejando a la memorresistencia en un estado de alta o baja resistencia.
La resistencia de un memorresistor cambia, por tanto, dependiendo de la cantidad de voltaje y deltiempo de aplicación del mismo. Según el modelo matemático de estos investigadores el estado de resistencia debe de durar años.
Chua dice que nunca había esperado que alguien consiguiera implementar la memorresistencia a lo largo de su vida, propuesta que por cierto había ya olvidado, y se muestra maravillado por el descubrimiento.
2. Funcionamiento
En 1996, Stanley Williams de HewlettPackard, comenzó a realizar estudios sobre arquitecturas para computadoras que no fueran susceptibles a defectos a escala nano. Esta investigación eventualmente llevo al equipo al desarrollo de los Memristores
El concepto general es una matriz de cables (conductores), entre cada par de conductores de toda la matriz, existen llaves (interruptores) que en primera instancia se encuentran abiertos. Siconectamos una fuente de alimentación entre un par de conductores, al principio esta disposición no almacena o posee información alguna
Pero si empezamos a cerrar algunos de estos interruptores podemos programar la matriz para que contenga una cantidad impresionante de información. Se puede abrir o cerrar cualquier interruptor particular, si queremos manejar otro interruptor solo debemos...
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