Microprocesadores Cmos

Universidad Galileo






José Raúl Gonzales Herrera





Ing. Alan Pacheco



Electronica Analogica




Técnico Universitario en Electrónica



1er SemestreCarnet. 12002661






CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS
Estos CI’s se caracterizan por su extremadamente bajo consumo de potencia, ya que se fabrican a partir de transistores MOSFET los cuales por sualta impedancia de entrada su consumo de potencia es mínimo.
Estos CI’s se pueden clasificar en tres subfamilias:

Familia Rango de tensión Consumo potencia Velocidad
estándar (4000) 3 – 15 V10 mW 20 a 300 ns
serie 74C00 3 – 15 V 10 mW 20 a 300 ns
serie 74HC00 3 – 15 V 10 mW 8 a 12 ns
Tabla 3: Subfamilias CMOS
La serie 74HCT00 se utiliza para realizar interfaces entre TTLy la serie 74HC00.

DESCARGAS ELECTROSTÁTICAS
Los dispositivos CMOS son muy susceptibles al daño por descargas electrostáticas entre un par de pines.
Estos daños pueden prevenirse:
Almacenando los CI CMOS en espumas conductoras especiales.
 Usando soldadores alimentados por batería o conectando a tierra las puntas de los soldadores alimentados por ac.
 Desconectando la alimentacióncuando se vayan a quitar CI CMOS o se cambien conexiones en un circuito.
 Asegurando que las señales de entrada no excedan las tensiones de la fuente de alimentación.
 Desconectando las señales deentrada antes de las de alimentación.
 No dejar entradas en estado flotante, es decir, conectarlos a la fuente o a tierra según se requiera.






2. MARCAS EN UN C.I DIGITAL
3.Dependiendo del fabricante, un CI puede presentar distintas demarcaciones en la parte superior del mismo, pero una marca común en un CI TTL es como la que se describe a continuación:
4.
Figura 1: Marcas deun CI
5. El pin o patilla 1 se identifica con un punto, muesca o banda coloreada en uno de los extremos del CI. Siempre se sitúa a la izquierda colocando el integrado con el extremo demarcado...