microscopias

Microscopías
Profesor: Dr. Marco Morales
Alumno: Helam Benjamín Zurita Espinosa
Primavera 2014

Introducción
 ZnO estudiado desde 1935
 Semiconductor (~3.37 eV a 300 k ) Grupo II-VI
Semiconductor tipo n
 Thermocromico
 Oxido anfotero
 Insoluble
 Hexagonal Wurtzite

[1] R. R. Reeber, J, Phys. 41, 5063 (1970) [2] D. C. Reynolds and T. C. Collins, Phys. Rev. 185, 1099 _1969_. Cristaliza en una geometría tetraédrica
Introducción

 Alta temperatura de fusión (cerámicos)
 Aleación con Óxidos de Magnesio y Cadmio
 Protección UVA (320-400nm) y UVB(280-320nm)
Producción de materiales
 Bajo coeficiente de expansión térmica

 LEDS, TCO, laser UV
 Detectores
 Piezoelectricidad

Özgur, Ü; Alivov, Ya, Liu, C Journal of Applied Physics 98(4):041301,Bakin, A, et al (2007) Physica staatus solidi©4: 158-161
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Science Daily, November 10, 2008.

Planteamiento del Problema
 Objetivos específicos
 Obtención de películas estructuradas de ZnOmediante la técnica de MWCBD
 Encontrar los parámetros adecuados (concentración
de los reactivos precursores, temperatura y tiempo de
reacción, etc.) para el crecimiento de las películas de
ZnO.
Caracterización estructural, morfológica y óptica de las
películas obtenidas.

Marcoy Geyde: Velocidad de Reacción y más limpia
Teórico
 Giguere
 1000 veces más rápido
 Mejorar lascondiciones de depósito haciéndolo mas

barato y eficiente en comparación a otros
semiconductores como GaN
 Tiempos y simple producción de ZnO

Gedye, R., Smith, F., Westaway, K., Ali, H., Baldisera,L., Laberge, L. and Rousell, J.: Tetrahedron Lett., 27,279 (1986), Giguere, R.J., Bray, T.
L., Duncan, S. M. and Majetich, G.,: Tetrahedron Lett. 27, 4945 (1986)
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Marco Teórico
 MWCBD(MicroWave Chemical Bath Deposition)

1) Zn(NO3)2 + (NH2)2CO « [Zn(Urea)]+2 + 2(NO3)21- 2) [Zn(Urea)]+2 « Zn+2 + Urea 3) NH4OH +
OH- « [NH3]+ + 2OH-Molar ratio 1:1 4) Zn+2 + 2OH- « Zn(OH)2¯ 5) Zn(OH)2 «...