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O B J E T I V O

Determinar prácticamente los cambios de resistencia que experimenta unafotorresistencia cuando es sometida a diferentes intensidades de luz así como desarrollar una aplicación con este dispositivo.



 INTRODUCCIÓN

La celda fotoconductora es un dispositivosemiconductor de dos terminales cuya resistencia terminal variará linealmente con la intensidad de la luz incidente, frecuentemente se denomina un dispositivo fotorresistivo. El símbolo para una fotorresistenciase muestra en la siguiente figura 1.a.
Los materiales semiconductores más comúnmente utilizados comprenden el sulfuro de cadmio (CdS) y el seleniuro de cadmio (CdSe).

Cuando la intensidad de laluz incidente aumenta en la superficie del dispositivo, la resistencia de éste disminuirá. Por el contrario, si la intensidad de la luz incidente disminuye la resistencia aumentará. Esto lo podemosobservar en la gráfica de la figura 1.b .









Figura 1.



MATERIAL.

1. Una fotorresistencia.
2. Una resistencia de 1K, 2.2K y 5.6K a ½ W
3. Unpotenciómetro de 10K.
4. Un circuito integrado LM311
5. Un diodo LED.
6. Un transistor 2N2222
7. Un relevador de 12Vdc a 127Vac
8. Un socket, una clavija y un foco de 100W.
9. Una plantilla deexperimentos.

EQUIPO.

1. Un multímetro.
2. Fuente de Voltaje de dc.



PROCEDIMIENTO.

1.-
Mide con el óhmetro la resistencia de la fotorresistencia, sin importar la cantidad de luz que incida sobreésta. Registra este valor a continuación:




2.-
Ahora vuelve a medir la resistencia del elemento de tal forma que incida sobre ésta la máxima cantidad de luz posible.
¿Quévalor de resistencia alcanzaste a medir?
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3.-
Coloca la fotorresistencia de tal forma que incida sobre ésta la mínima cantidad...