mineria


Diseño Factorial 2²
En un artículo de AT&T Technical Journal (vol. 65, pp.39-50) se describe la aplicación de diseños factoriales de dos niveles en la fabricación de circuitos integrados. Un pasobásico del procesamiento es hacer una capa epitaxial sobre obleas de silicio pulidas. Las obleas se amontonan en un susceptor, se colocan en el interior de una campana de cristal y se introducenvapores químicos. El susceptor se hace girar y se aplica calor hasta que la capa epitaxial tiene el espesor suficiente. Se corrió un experimento utilizando dos factores: rapidez de flujo de arsénico (A) ytiempo de deposición (B). Se corrieron cuatro réplicas y se midió el espesor de la capa epitaxial (en µm). Los datos de muestran a continuación:

1.- Objetivo: Maximizar el proceso para hacercrecer a la medida adecuada la capa epitaxial sobre las obleas de silicio pulidas para circuitos integrados
Respuesta Y: Espesor de la capa epitaxial (µm)
2.- Modelo del Diseño
Este experimento tienepor modelo el siguiente:


4.- Tabla de Análisis de Varianza (ANOVA):





5.- Pruebas de Hipótesis.

5.1 Factor A (Flujo de arsénico)



-Estadístico F
-Criterio de decisión-Decisión

-Conclusión Administrativa: Con el 95% de confiabilidad se determina que el Flujo de arsénico no afecta el espesor de la capa epitaxial.
5.2 Factor B (Tiempo de deposición)-Estadístico F
-Criterio de decisión

-Decisión

-Conclusión Administrativa: Con el 95% de confiabilidad se determina que el Tiempo de deposición no afecta el espesor de la capa epitaxial.



5.3Interacción AB (Flujo de arsénico y Tiempo de deposición)



-Estadístico F
-Criterio de decisión

-Decisión

-Conclusión Administrativa: Con el 95% de confiabilidad se determina que lainteracción entre el Flujo de arsénico y el Tiempo de deposición no afecta el espesor de la capa epitaxial.
6.- Modelo y ecuación de Regresión (Estimado)


Sustituyendo por los valores de los...