modelo matematico transistor BJT

Páginas: 4 (988 palabras) Publicado: 9 de diciembre de 2013
CAD AVANZADO PARA ELECTRONICA
TRABAJO FINAL
(Avance)






TUTOR
JUAN MONROY




GRUPO
208008-142





UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA
INGENIERIA ELECTRONICACEAD PASTO
2013

Para iniciar los trabajos de diseño se plantea el esquema del amplificador divisor de tensión con derivación a BJT. (Imagen 1).




Para ello se usara un transistor NPN 2N2222,que según su tabla de características se tiene que en la región activa tiene un hfe o valor β = 50, si el voltaje colector – emisor es de 10V, y la corriente de colector es de 1 mA. (Imagen 2).Imagen 2




Frecuencia de operación:

FL = 1000 Hz = 1KHz
FH = 10000 Hz = 10KHz


Voltaje de la fuente:

Vcc = 20 V

Factor hfe del transistor:

β = 50



El circuito en DCqueda de la siguiente forma:




Imagen 3







Se inicia con el análisis en DC, para ello se reduce el circuito al siguiente diagrama sacando el equivalente de Thevenin de las resistenciasR1 y R2 (Imagen 3):


Imagen 4


De este circuito se plantean la ecuación para la malla de colector



Ecuación 1:

VCE es el voltaje colector – emisor que para este caso se define en 10V teniendo en cuenta la tabla de caracterización del transistor 2N2222, lo mismo para el caso de la corriente de colector IC la cual es de 1 mA (ver imagen 2).

VCE = 10V

IC = 1 mASe plantea el modelo “re” para el análisis AC (Imagen 5), en AC los condensadores C1, C2 y C3 se asumen como corto circuitos:


Del modelo anterior se plantea las siguientes condiciones:La resistencia RB es el paralelo de R1 y R2.

La resistencia ro depende del factor hoe que es la conductancia entre colector emisor, que para el caso del transistor 2N2222 es de 5µS, por lo tantola resistencia equivalente es de 200KΩ, observar la imagen 5.

La resistencia re, depende del voltaje térmico que se asume siempre en 26mV y se calcula con la corriente del emisor que para este...
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