Modulador am
Antes de realizar el análisis de nuestro diseño, mostramos a continuación la imagen del circuito modulador AM
El transistor a utilizar es del tipo convencional NPN, elescogido fue el 2N2222
Para el análisis de nuestro modulador AM asumimos un valor para RC, RE y el β del transistor, para que este trabaje adecuadamente. Para ello asumimos que,
Rc=1.5KΩ
RE=120Ωβ=150
Tenemos también el valor de Vcc, siendo este de 12V
A continuación realizaremos el análisis para encontrar los valores de R1 y R2.
Como primer paso calculamos la corriente máxima deltransistor
Imax=VccRc+RE
Imax=12V1.5KΩ+120Ω
Imax=7.74 mA
Luego de haber calculado la corriente máxima del transistor se procede a calcular la corriente del colector, sabiendo que dicha corriente no debesaturar al transistor.
Ic=Imax2
Ic=7.74 mA2
Ic=3.7 mA
Así mismo obtenemos la corriente que pasa por la base del transistor (Ib), entonces tenemos que,
Ib=Icβ
Ib=3.7 mA150
Ib=24.66 µA
Yaobtenido la corriente Ib procedemos a calcular la resistencia de base, esto se calcula debido a que el diseño es del tipo divisor de tensión, con estos datos de la base se obtiene el voltaje aplicado a labase (Vbb). Tenemos que,
Rb=Rc β10
Rb=1.5KΩ x 15010
Rb=22.5KΩ
Vbb=IbRb+REβ+1+Vbe
Vbb=24.66µA22.5KΩ+120Ω150+1+0.7
Vbb=1.7V
Ya obtenidos todos los valores del análisis anterior, se procede acalcular los valores de R1 y R2, para ello tenemos que,
R1=Rb1-VbbVcc
R1=22.5KΩ1-1.7V12V
R1=26.22KΩ
R2=Rb VccVbb
R2=22.5KΩ x 12V1.7V
R2=158.83KΩ
Simulaciones
Diseño
PortadoraFrecuencia | Amplitud |
10khz | 1.08v |
Mensaje o moduladora
Frecuencia | Amplitud |
1khz | 1.03v |
Modulada
Frecuencia | Amplitud |
10khz | 0.145v |
RepúblicaBolivariana de Venezuela
Ministerio de educación del poder popular para la defensa
Universidad Nacional Experimental Politécnica
De la fuerza Armada
Maracay- Edo Aragua
Practica 1
DISEÑO DE...
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