MOSFET de Potencia

MOSFET DE POTENCIA
Un transistor bipolar de juntura (BJT) es un dispositivo controlado ´por corriente, que requiere de corriente de base para controlar el flujo de corriente del colector. Dado quela corriente del colector depende de la corriente de entrada (o de la base), la ganancia de corriente es altamente dependiente de la temperatura de la unión.
Un MOSFET de potencia es undispositivo controlado por voltaje, que requiere solo de una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy alta siendo los tiempos de conmutación del orden de los nanosegundos. Los MOSFET depotencia están encontrando cada vez más aplicaciones en los convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Los MOSFET no tienen problemas de los fenómenos de ruptura secundaria que tienen los BJT.Sin embargo, los MOSFET tienen problemas de descargas electrostáticas, por lo que su manejo requiere de cuidados especiales. Además, es relativamente difícil protegerlos bajo condiciones de falla porcorto circuito.
Los MOSFET son de dos tipos: (1) los MOSFET de agotamiento y (2) los MOSFET de enriquecimiento. Un MOSFET tipo agotamiento de canal n+ se forma en un substrato de silicio de tipo p,tal y come se muestra en la figura (a) que esta continuación en la, con dos silicios n fuertemente dopados para tener conexiones de baja resistencia. La compuerta está aislada del canal mediante unadelgada capa de óxido. Las tres terminales se conocen como compuerta, drenaje y fuente. Normalmente, el substrato se conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a fuente, VGS, puede ser positivo onegativo. Si VGS es negativo, algunos de los electrones del área del canal n serán repelidos y se creará una región de agotamiento por debajo de la capa de óxido, que resultará en un canal efectivo másangosto y en una alta resistencia de drenaje a fuente, RDS. Si VGS se hace suficientemente negativo, el canal se agotará totalmente, ofreciendo un alto valor RDS, y no habrá flujo de corriente de...