Mosfet
Páginas: 11 (2708 palabras)
Publicado: 10 de marzo de 2010
UNIVERSIDAD AUTONOMA DE QUERETARO
FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA EN AUTOMATIZACION
BJT Y MOSFET
FISICA
RUBEN DORANTES RUBIO
2 de junio de 2009
Transistor de unión bipolar (BJT Bipolar Junction Transistor)
El transistor de unión bipolar es un semiconductor el cual nos permite amplificar sea en tensión o en corriente una señal o una tensión la base de circuitos integrados, también es el queconmuta, es el que nos trae dolores de cabeza y también es el que hace que todo este maravilloso mundo de las computadoras, microprocesadores, satélites, GPS, etc. funcionen. La parte física y teórica corresponde a la ingeniería electrónica, acá vamos a ver aspectos prácticos del transistor de unión bipolar.
Los BJT poseen 3 terminales: Base, Colector y Emisor.
La flecha que SIEMPRE está en elemisor es la que nos va a indicar si es de un tipo u otro, la base es el terminal que sale perpendicular y el colector es el terminal opuesto (visualmente) al emisor. Cuando la flecha se dirige hacia adentro del transistor es un PNP y cuando sale es un NPN.
TRANSISTOR NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores decarga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre doscapas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
El símbolo de un transistor NPN.
TRANSISTOR PNP
El otrotipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
El símbolo de un transistor PNP.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopadoN entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminaldel emisor y apunta en la dirección en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
Transistor Bipolar de Heterounión
El transistor bipolar de heterounión (TBH) es una mejora del BJT que puede manejar señales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy común hoy en día en circuitos ultrarrápidos, generalmente ensistemas de radiofrecuencia.
Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos del transistor. Usualmente el emisor está compuesto por una banda de material más larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyección de portadores minoritarios desde la base cuando la unión emisor-base está polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyección delemisor. La inyección de portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con un transistor de unión convencional, también conocido como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyección de portadores desde el emisor hacia la base está principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la...
FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA EN AUTOMATIZACION
BJT Y MOSFET
FISICA
RUBEN DORANTES RUBIO
2 de junio de 2009
Transistor de unión bipolar (BJT Bipolar Junction Transistor)
El transistor de unión bipolar es un semiconductor el cual nos permite amplificar sea en tensión o en corriente una señal o una tensión la base de circuitos integrados, también es el queconmuta, es el que nos trae dolores de cabeza y también es el que hace que todo este maravilloso mundo de las computadoras, microprocesadores, satélites, GPS, etc. funcionen. La parte física y teórica corresponde a la ingeniería electrónica, acá vamos a ver aspectos prácticos del transistor de unión bipolar.
Los BJT poseen 3 terminales: Base, Colector y Emisor.
La flecha que SIEMPRE está en elemisor es la que nos va a indicar si es de un tipo u otro, la base es el terminal que sale perpendicular y el colector es el terminal opuesto (visualmente) al emisor. Cuando la flecha se dirige hacia adentro del transistor es un PNP y cuando sale es un NPN.
TRANSISTOR NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores decarga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre doscapas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
El símbolo de un transistor NPN.
TRANSISTOR PNP
El otrotipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
El símbolo de un transistor PNP.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopadoN entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminaldel emisor y apunta en la dirección en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
Transistor Bipolar de Heterounión
El transistor bipolar de heterounión (TBH) es una mejora del BJT que puede manejar señales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy común hoy en día en circuitos ultrarrápidos, generalmente ensistemas de radiofrecuencia.
Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos del transistor. Usualmente el emisor está compuesto por una banda de material más larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyección de portadores minoritarios desde la base cuando la unión emisor-base está polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyección delemisor. La inyección de portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con un transistor de unión convencional, también conocido como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyección de portadores desde el emisor hacia la base está principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la...
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