Mosfet

Transistor Mosfet

-Historia-
En 1959, Dawon Kahng y Martín M. (Juan) Atalla en los Laboratorios Bell inventó el-óxido-semiconductor transistor de efecto de campo de metal (MOSFET). de vista operativo y estructuralmente diferente del transistor de unión bipolar, fue el MOSFET se hizo poniendo una capa de aislamiento en la superficie del semiconductor y luego colocar una puerta metálica delelectrodo sobre esta. Se utilizan silicio cristalino para el semiconductor y una capa termal oxidada de dióxido de silicio para el aislador. El silicio MOSFET no generar trampas localizadas de electrones en la interface entre el silicio y su capa de óxido nativo, y por lo tanto es inherentemente libre de la captura de animales y la dispersión de las compañías que habían impedido el funcionamiento delos transistores de efecto de campo anterior. Tras el desarrollo (caro) de salas limpias para reducir la contaminación a niveles que nunca antes se creyó necesario, y de la fotolitografía y el proceso planar para que los circuitos a realizar en muy pocos pasos, el Si-SiO2 sistema poseía tales atracciones técnica como el bajo costo de producción (sobre una base por circuito) y facilidad deintegración. Debido en gran parte de estos dos factores, el MOSFET se ha convertido en el tipo más ampliamente utilizado del transistor en los circuitos integrados.

-Estructura y construcción-
* Estrucura
Un transistor de metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) se basa en la modulación de la concentración de carga de una capacidad MOS entre un electrodo de cuerpo y un electrodo depuerta situada sobre el cuerpo y el aislamiento de todas las regiones otro dispositivo por una puerta capa dieléctrica que en el caso de un MOSFET es un óxido, como el dióxido de silicio. Si dieléctricos que no sea un óxido como el dióxido de silicio (a menudo denominado como el óxido) se emplean el dispositivo puede ser denominado como un FET de metal-aislante-semiconductor (MISFET). En comparacióncon el capacitor MOS, MOSFET incluye dos terminales adicionales (fuente y drenaje), cada una relacionada con las distintas regiones altamente dopadas que están separadas por la región del cuerpo. Estas regiones pueden ser de tipo p ó n, pero ambos deben ser del mismo tipo, y de tipo opuesto a la región del cuerpo. La fuente y el drenaje (a diferencia del cuerpo) son altamente dopado según losignificado por un signo '+' después de que el tipo de dopaje.
Si el MOSFET es un n-FET de canal o del nMOS, a continuación, la fuente y el drenaje son "n +" las regiones y el cuerpo es una región 'p'. Como se describe anteriormente, con suficiente voltaje de la puerta, los agujeros del cuerpo son expulsados ​​de la puerta, formando una capa de inversión o n-canal en la interfase entre la región P yel óxido. Este canal de conducción se extiende entre la fuente y el dren, y la corriente se lleva a cabo a través de él cuando se aplica un voltaje entre la fuente y el drenaje. El aumento de la tensión en la puerta conduce a una mayor densidad de electrones en la capa de inversión y por lo tanto aumenta el flujo de corriente entre la fuente y el drenaje.
Para voltajes de la puerta por debajodel valor umbral, el canal es poco pobladas, y sólo una muy pequeña fuga subliminales circulación de la corriente entre la fuente y el dren.
Si el MOSFET es un p-FET de canal o pMOS, a continuación, la fuente y el drenaje son 'p + regiones y el cuerpo es una región' n '. Cuando un voltaje negativo puerta-fuente (positivo fuente-puerta) se aplica, se crea un p-canal en la superficie de la regiónn, de forma análoga al caso del n-canal, pero con polaridades opuestas de las cargas y tensiones. Cuando una tensión menos negativo que el valor de umbral (un voltaje negativo para el p-canal) se aplica entre la puerta y la fuente, el canal desaparece y sólo una pequeña corriente subumbral puede fluir entre la fuente y el dren.
La fuente se llama así porque es la fuente de los portadores de...