Mosfet
Páginas: 2 (255 palabras)
Publicado: 16 de junio de 2011
MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor
(MOS) sondispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crearuna canal de conducción.
Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de loscircuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS.Existen dos tipos de transistores MOS:MOSFET de canal N o NMOS y MOSFETde canal P o PMOS. A su vez, estostransistores pueden ser de acumulación (enhancement) odeplexion (deplexion); en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los MOS de acumulación también conocidoscomo de enriquecimiento.
La figura 1.14 indica los diferentes símbolos utilizados para describir los transistoresMOS.
En la figura 1.15 se describela estructura física de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a lafuente.
La puerta, cuya dimensión es W·L, está separado del substrato por un dieléctrico (Si02) formando unaestructura similar a lasplacas de un condensador.
Alaplicar una tensión positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversión) en la superficie del substrato y se crea un camino de conducciónentre los terminales drenador y fuente.
La tensión mínima para crear ese capa de inversión se denomina tensión umbral o tensión de threshold (VT) y es unparámetro característico del transistor. Si la VGS<VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores típicos de esta tensión son de de 0.5 V a 3 V.
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor
(MOS) sondispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crearuna canal de conducción.
Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de loscircuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS.Existen dos tipos de transistores MOS:MOSFET de canal N o NMOS y MOSFETde canal P o PMOS. A su vez, estostransistores pueden ser de acumulación (enhancement) odeplexion (deplexion); en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los MOS de acumulación también conocidoscomo de enriquecimiento.
La figura 1.14 indica los diferentes símbolos utilizados para describir los transistoresMOS.
En la figura 1.15 se describela estructura física de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a lafuente.
La puerta, cuya dimensión es W·L, está separado del substrato por un dieléctrico (Si02) formando unaestructura similar a lasplacas de un condensador.
Alaplicar una tensión positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversión) en la superficie del substrato y se crea un camino de conducciónentre los terminales drenador y fuente.
La tensión mínima para crear ese capa de inversión se denomina tensión umbral o tensión de threshold (VT) y es unparámetro característico del transistor. Si la VGS<VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores típicos de esta tensión son de de 0.5 V a 3 V.
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.