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Las dimensiones más importantes en un transistor MOSFET son la longitud del canal (L) y el ancho de la compuerta (W). En un proceso de fabricación se pueden ajustar estos dosparámetros para modificar el comportamiento eléctrico del dispositivo. La longitud del canal (L) se utiliza además para referirse a la tecnología con la cual fue fabricado el componenteelectrónico. De esta manera, un transistor fabricado con tecnología de 45 nm es un transistor cuya longitud de canal es igual a 45 nm.

El MOSFET ha sido escalado continuamente para reducirsu tamaño por varias razones. El motivo principal es que se pueden poner más transistores en una misma área superficial, aumentando la densidad de integración y la potencia de cálculode los microprocesadores. Para tener una idea, los primeros transistores tenían longitudes de canal de varios micrómetros, mientras que los dispositivos modernos utilizan tecnologíasde apenas decenas de nanómetros. En un microprocesador Core i7 de tercera generación fabricado con tecnología de 22 nm se tienen aproximadamente 1480 millones de transistores.5

Lostrabajos de Richard Feynman y posteriormente de Robert H. Dennard sobre la teoría de escalamiento fueron la clave para reconocer que la reducción continua del dispositivo era posible.Adicionalmente la industria microelectrónica ha tratado de mantener con vigencia la ley de Moore, una tendencia que indica que la cantidad de transistores en un circuito integrado seduplica cada dos años. Para continuar con esta tendencia, Intel inició un proceso de producción en donde la longitud de la compuerta es de 32 nm en el 2009 y continúa reduciendo laescala en el 2011 con procesos de 22 nm. Por otro lado, la industria de semiconductores mantiene un "roadmap", el ITRS,6 que marca las metas del desarrollo de la tecnología MOSFET.