Mosfet
Páginas: 2 (399 palabras)
Publicado: 7 de junio de 2012
Ejercicios Resueltos de Dispositivos Electrónicos I Examen de Diciembre de 2000 - Ejercicio 51 Enunciado
£
Calcular la corriente de drenador del transistor T1 . Datos: del transistor se sabe queVT H RS 150Ω, RG 2 2kΩ, RD 180Ω.
¡ £ ¡ ¡
3 4V , K
20 mA . VDC V2
RS VDC T1 RG
RD
Figura 1: Circuito del enunciado
Solución
Para resolver este problema no es necesario suponer nada,basta con observar la topología del circuito y razonar sobre el comportamiento del transistor. Al ser un transistor de efecto de campo de puerta aislada, de canal N (N-MOSFET), la corriente que entrao sale por la puerta es despreciable, siendo a todos los efectos IG 0. Consecuentemente con este hecho, la caida de tensión en la resistencia RG es VRG 0 y, consecuentemente las tensiones entredrenador y fuente y entre puerta y fuente son iguales, lo que expresado matemáticamente es : VDS Si se cumple la ecuación
¦ ¡
VGS
VDS
VGS
VT H
el MOSFET tipo N de enriquecimiento está ensaturación. Uniendo las ecuaciones 1 y 2 se concluye que el transistor estará en saturación mientras el valor de la tensión entre drenador y fuente sea mayor que la tensión umbral del transistor. En elcircuito del enunciado esto se cumple, luego nuestro transistor está en saturación y no es posible suponer ningún otro estado para el mismo. Sólo resta calcular los valores numéricos del problema. Alestar el transistor en saturación es válida la ecuación :
¨ £ ¦ § ¨ ¦ §
ID También podemos cerrar la malla:
K VGS
VTH
2
20
mA VGS V2
3 4V
2
Uniendo las ecuaciones 3 y 4:
1Resuelto
por el Prof. Andrés A. Nogueiras Meléndez, aaugusto@dte.uvigo.es, 2001
1
©
© ¨
©
§
VDC
ID 180Ω
150Ω
VGS
ID 330Ω
© ¨
©
¡
§
© ¨
©
§
VDC¡
ID RS
RD
VDS
ID RS
RD
VGS VGS (4)
¡
¡
¡ ¢
24V ,
¡
¡ ¡
¤ ¥¢
¡
¡
¡
(1)
(2)
(3)
operando y despejando:
£ © £ ¦
52...
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Calcular la corriente de drenador del transistor T1 . Datos: del transistor se sabe queVT H RS 150Ω, RG 2 2kΩ, RD 180Ω.
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3 4V , K
20 mA . VDC V2
RS VDC T1 RG
RD
Figura 1: Circuito del enunciado
Solución
Para resolver este problema no es necesario suponer nada,basta con observar la topología del circuito y razonar sobre el comportamiento del transistor. Al ser un transistor de efecto de campo de puerta aislada, de canal N (N-MOSFET), la corriente que entrao sale por la puerta es despreciable, siendo a todos los efectos IG 0. Consecuentemente con este hecho, la caida de tensión en la resistencia RG es VRG 0 y, consecuentemente las tensiones entredrenador y fuente y entre puerta y fuente son iguales, lo que expresado matemáticamente es : VDS Si se cumple la ecuación
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VDS
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VT H
el MOSFET tipo N de enriquecimiento está ensaturación. Uniendo las ecuaciones 1 y 2 se concluye que el transistor estará en saturación mientras el valor de la tensión entre drenador y fuente sea mayor que la tensión umbral del transistor. En elcircuito del enunciado esto se cumple, luego nuestro transistor está en saturación y no es posible suponer ningún otro estado para el mismo. Sólo resta calcular los valores numéricos del problema. Alestar el transistor en saturación es válida la ecuación :
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ID También podemos cerrar la malla:
K VGS
VTH
2
20
mA VGS V2
3 4V
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Uniendo las ecuaciones 3 y 4:
1Resuelto
por el Prof. Andrés A. Nogueiras Meléndez, aaugusto@dte.uvigo.es, 2001
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