Mosfet

Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere solo una pequeña
corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy alta siendo los tiempos de conmutación
delorden de los nanosegundos. Los MOSFET de potencia se encuentran en convertidores de alta
frecuencia y baja potencia. Los MOSFEt no tiene los problemas de los fenómenos de ruptura
secundaria que tienenlos BJT. Tiene problemas de descargas electroestáticas
Los MOSFET son de dos tipos:
 De agotamiento
 De enriquecimiento
Los de agotamiento de
canal n se forma en un
substrato de silicio tipop, tal como se muestra:
con dos silicios n+
fuertemente dopados
para tener conexiones
de baja resistencia. Las
tres terminales se
conocen como
compuerta, drenaje y
fuente. Normalmente,
elsustrato se conecta a
la fuente. El voltaje de
compuerta a fuente,
VGS , puedes ser
positivo o negativo. Con
un MOSFET tipo
agotamiento de canal
p,, se invienten las polaridades de VDS, IDS y VGSUn MOSFET tipo enriquecimiento
de canal n, no tiene un canal
físico, tal y como se puede
observar en la figura: si VGS es
positivo, un voltaje inducido
atraerá a los electrones del
substrato p,y los acumulara en la
superficie por debajo de la capa
de oxido. Si VGS es mayor o igual
a un valor conocido como voltaje
umbral, VT , se acumulara un
numero suficiente de electrones
paraformar un canal virtual n y
la corriente fluirá del drenaje a la
fuente. MOSFET tipo
enriquecimiento de canal p, se
invierten las polaridades de VDS,
IDS y VGS
Características de conmutación
Sinseñal de compuerta, un MOSFET tipo enriquecimiento puede considerarse como dos
diodos conectados espalda con espalda o como un transistor NPN. La estructura de la compuerta
tiene capacitancias parasitascon la fuente, Cgs, y con el drenaje Cgd. El transistor NPN tiene una
unión de polarización inversa del drenaje a ala fuente y ofrece una capacitancia Cds.
El modelo de conmutación de los...