mosfet

1- Cual es la diferencia entre Mosfet y Jfet:
Los transistores MOSFET son dispositivos de efecto de campo al igual que los JFET utilizan un campo eléctrico para crear un canal de conducción. Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de circuitos integrados digitales se construyen con tecnologías MOS. Al igual que los JFET Y MOSFET tienen una estructura física muydiferente, pero sus ecuaciones analíticas son muy similares, por eso los transistores MOS Tiene las mismas regiones de operación que los JFET
2- De qué manera se controla la conducción de los transistores FET y MOSFET
JFET: La polarización de un JFET (Junction Field-Effect Transistor) exige que las uniones PN estén inversamente polarizadas, para un JFET de canal N, el voltaje de drenado debe sermayor que el voltaje de la fuente para que exista un flujo de corriente a través del canal, además el voltaje de compuerta debe ser más negativo que el de la fuente para que la unión PN se encuentre polarizada inversamente.El transistor de efecto de campo (FET); es un dispositivo unipolar, opera como un dispositivo controlado por voltaje, ya sea con corriente de electrones en un FET de canal N o concorriente de huecos en un FET de canal P. ambos tipos de FET se controlan por una tensión entre la compuerta y la fuente.
MOSFET : El estado de Conducción Lineal se realiza al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una región de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadoresminoritarios (electrones en nMOS, huecos en pMOS) en la región de deplexión que darán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dará lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión de puerta.
3- Explicar por escrito el motivo de los nombres de terminalesde los transistores JFET y MOSFET ( gate , drenado ,surtidor o fuente)
Ambos tipos presentan tres electrodos o terminales: Puerta (Gate), Surtidor o fuente(Source) y Drenador (Drain).
Fuente o surtidor (S): terminal por donde entran los portadores provenientes de la fuente externa de polarización.
Drenador (D): terminal por donde salen los portadores procedentes de la fuente y que atraviesan elcanal.
Puerta (G):terminal constituido por regiones altamente impurificadas (zona de dopado) a
ambos lados del canal y que controla la cantidad de portadores que atraviesan dicho canal.
Los JFET de canal N están constituidos por una barra de material semiconductor tipo N,
Denominada “canal”, con dos regiones de material semiconductor tipo P; mientras que en los
JFET de canal P , la barra ocanal es de material semiconductor tipo P, rodeada por dos regiones de material N JFET de canal N, la corriente se debe a electrones, mientras que en un JFET de canal P ,se debe a huecos o lagunas
4- Como funiona el canal dde este tipo de transistores JFET y MOSFET
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de sulongitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n.
Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal p


En el FET de canal N la corriente circula por la región N, que se extiende entre los contactos del drenado y surtidor, en su funcionamiento como transistor esta unión PN debe estar polarizada inversamente, entonces la corriente de puertaserá aproa 0 . Cuando aumenta la polarización inversa de dicha unión , la anchura efectiva del canal N disminuye , lo cual implica que aumenta la resistencia del canal , por dicha razón ,p ara una misma tensión aplicada entre drenado y surtidor , la corriente Id disminuye al aumentar la polarización inversa de la unión PN de puerta surtidor
En el FET De canal P la corriente circula por la región P...