MOSFET
Fue ideado teóricamente por el alemán Julius Von Edgar Lilienfeld en 1930,aunque debido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca de cómo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar hasta décadas más tarde.Tambien se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.
Funcionamiento
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas dedifusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
Tipos de Mosfet
Los transistoresMOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje: Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.Las áreas de difusión se denominan fuente y drenador, y el conductor entre ellos es la puerta.
Estados de los Mosfet
El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:
Estado de corte
Estado decorte Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato.
Estado de NO conducción
El MOSFET está en estado de no conducción: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque seaplique una diferencia de potencial entre ambos.
Conducción lineal
Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una región de deplexión en la región que separa lafuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (electrones en nMOS, huecos en pMOS) en la región de deplexión que darán lugar a un canal de conducción.
El...
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