Mosfet
Páginas: 2 (457 palabras)
Publicado: 8 de julio de 2015
Mosfet
“En la Figura 1 se muestra un mosfet de empobrecimiento, también denominado MOSFET de deplexi6n. Se compone de una pieza de material tipo n con una zona p a la derecha y una puerta aislada ala izquierda. La zona p se denomina substrato (o cuerpo). Los electrones que circulan desde la fuente hacia el drenado deben pasar a través del estrecho canal entre la puerta y la zona p.Figura 1
Una capa delgada de di6xido de silicio (SiO2) se deposita en el lado izquierdo del canal. El di6xido de silicio es semejante al vidrio y, por tanto, es un aislante. En un MOSFETla puerta es metálica; debido a que la puerta está aislada del canal, una corriente de puerta despreciable circula aun cuando la tensi6n de puerta es positiva.
En la Figura 2 aparece un MOSFET deempobrecimiento con una tensi6n de puerta negativa. La alimentaci6n VDD obliga a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el drenado. Estos circulan por el canal estrecho a la izquierdadel substrato p. Como sucede con el JET, la tensi6n de puerta controla el ancho del canal.
Cuanto más negativa sea la tensi6n de puerta, menor ser6 la corriente de drenado. Cuando la tensi6n de puertaes lo suficientemente negativa, la corriente de drenado se interrumpe. En consecuencia, el funcionamiento de un MOSFET es similar al de un JET cuando VGS negativa.
Al estar la puerta de un MOSFETaislada eléctricamente del canal, podemos aplicar una tensión positiva a la puerta, como se muestra en la figura 3. La tensión positiva de puerta incrementa el número de electrones libres que circulan através del canal. Cuanto más positiva sea la tensión de puerta, mayor será la conducción desde la fuente al drenado.” (Malvino, 2000)
Figura 2 Figura 3
“Estructuradel MOSFET
El MOSFET consta de 4 terminales
•Gate = compuerta
•Drain = drenaje
•Source= fuente
•Body o substrate = sustrato o cuerpo
Parámetros de construcción
•L = largo del canal
•W...
“En la Figura 1 se muestra un mosfet de empobrecimiento, también denominado MOSFET de deplexi6n. Se compone de una pieza de material tipo n con una zona p a la derecha y una puerta aislada ala izquierda. La zona p se denomina substrato (o cuerpo). Los electrones que circulan desde la fuente hacia el drenado deben pasar a través del estrecho canal entre la puerta y la zona p.Figura 1
Una capa delgada de di6xido de silicio (SiO2) se deposita en el lado izquierdo del canal. El di6xido de silicio es semejante al vidrio y, por tanto, es un aislante. En un MOSFETla puerta es metálica; debido a que la puerta está aislada del canal, una corriente de puerta despreciable circula aun cuando la tensi6n de puerta es positiva.
En la Figura 2 aparece un MOSFET deempobrecimiento con una tensi6n de puerta negativa. La alimentaci6n VDD obliga a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el drenado. Estos circulan por el canal estrecho a la izquierdadel substrato p. Como sucede con el JET, la tensi6n de puerta controla el ancho del canal.
Cuanto más negativa sea la tensi6n de puerta, menor ser6 la corriente de drenado. Cuando la tensi6n de puertaes lo suficientemente negativa, la corriente de drenado se interrumpe. En consecuencia, el funcionamiento de un MOSFET es similar al de un JET cuando VGS negativa.
Al estar la puerta de un MOSFETaislada eléctricamente del canal, podemos aplicar una tensión positiva a la puerta, como se muestra en la figura 3. La tensión positiva de puerta incrementa el número de electrones libres que circulan através del canal. Cuanto más positiva sea la tensión de puerta, mayor será la conducción desde la fuente al drenado.” (Malvino, 2000)
Figura 2 Figura 3
“Estructuradel MOSFET
El MOSFET consta de 4 terminales
•Gate = compuerta
•Drain = drenaje
•Source= fuente
•Body o substrate = sustrato o cuerpo
Parámetros de construcción
•L = largo del canal
•W...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.