mosfets

TRANSISTOR MOSFET.
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar oconmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular enotro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

CARACTERISTICAS Y CONSTRUCCION DE UN MOSFET.


Signos diferentes de mosfetsCanal P





Canal N
JFET
MOSFET Enriq.
MOSFET Enriq. (sin sustrato)
MOSFET Empo






Los MOSFET  son de 2 tipos:
1. - MOSFET de agotamiento.  Un MOSFET tipo agotamiento decanal N se forma en un    substrato de silicio de tipo P con dos silicios N+ fuertemente dopados para tener conexiones de baja resistencia. La compuerta está aislada del canal mediante una delgadacapa de óxido. Las 3 terminales se conocen como compuerta, drenaje y fuente. Normalmente el substrato se conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a la fuente, VGS, puede ser positivo o negativo; sies negativo algunos electrones del área del canal N serán repelidos y se creará una región de agotamiento por debajo de la capa de óxido, que resultará en un canal efectivo más angosto y en una altaresistencia de drenaje a fuente, RDS. Si VGS se hace suficientemente negativo, el canal se agotará totalmente, ofreciendo un alto valor RDS, y no habrá flujo de drenaje a fuente, IDS = 0. Cuando estoocurre al VGS se le conoce como voltaje de estrechamiento Vp.  Por otra parte, VGS se hace positivo, el canal se ensancha, e IDS aumenta debido a la reducción de RDS. Con un MOSFET tipo agotamiento decanal P se invierten las polaridades de VDS, IDS y VGS. 
  
2. MOSFET de enriquecimiento.  Un MOSFET de enriquecimiento de canal N, no tiene un canal físico. Si VGS es positivo, un voltaje inducido...