Movil Perpetuo

TRABAJO PRACTICO DE ELECTRONICA

ALUMNOS: Fierro José, Montecino Jay

CURSO: 5º 2ª

PROFESOR: Diego Gutiérrez Schmidt “FACHA”

AÑO: 2012

CET Nº9

OBJETIVO:
Esta práctica de laboratorioestá pensada para comprender mejor el funcionamiento de los transistores BJT y además su polarización mediante divisor de tensión. Se montara circuito de aplicación llamado AMPLIFICADOR BJT EMiSORCOMUN. Se medirá su comportamiento en corriente continua y su comportamiento con tensiones alternas en su entrada. Al final del laboratorio, así como su polarización. Además se deberán identificar losparámetros básicos del transistor leyendo su hoja de datos.

MARCO TEORICO:
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico deestado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente enelectrónica analógica. También en algunas aplicaciones de electrónica digital como la tecnología TTL o BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal.
Base, laintermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.

DESARROLLO DEL LABORATORIO:
CIRCUITO:


ANALISIS DE FUNCIONAMIENTO:

R1+R2
R1+R2RBB= R1R2 VBB=VCCR1





CALCULO DE VCC| 5v | 10v | 12v | 14v |
VCE | 4,63v | 5,51v | 5,93v | 6,28v |
VBB | 0,77v | 1,55v | 1,85v | 2,16v |
VE | 0,303v | 3,68v | 4,97v | 6,32v |
IE | 3,03x10-4A | 3,68x10-3A | 4,97x10-3A |...