Mucho

y

PC5300 ±
DD
R667 Fecha de introducción:
A finales del 2004
V
elocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s.
y

PC6400 ±
DD
R800 Fecha de introducción:
A finales del 2004
V
elocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabajaa una frecuencia de 800 MHzcon un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.
y

DD
R3 ± 800Fecha de introducción:
Junio del 2004
V
elocidad de transferencia
Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2, puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. Trabajan a un voltaje de 1.5V mientras quelas DDR2trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4GB/s.

y

DD
R3 ± 1066 Fecha de introducción:
Mayo del 2007
V
elocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferenciamáxima de 8.53 GB/s.
y

DD
R3 ± 1333Fecha deintroducción:
Mayo de 2007
V
elocidad de transferencia
De las primeras memorias clasificadas como de ³Low-Latency´ con velocidades de transferencia de10.667 GB/s @ 1333 MHz

y

DD
R3 ± 1600Fecha de introducción:
Julio de 2007
V
elocidad de transferencia de la información
12.80 GB/s @ 1600 MHz

y

DD
R3 ± 1800

Fechade introducción:
Agosto de 2007 Velocidad de transferencia 14.40 GB/s @ 1800 MHz

y

DD
R3 ± 2000

Fecha de introducción:
Marzo de 2008 (pruebas)
V
elocidad de transferencia
16.0 GB/s @ 2000 MHz





R
D
RAM

D
escripción de la tecnología

También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bity

RAM
BUS
PC600

Fecha de introducción:
1999
V
elocidad de transferencia
1.06 GB/s por canal, que hacen en total 2.12 GB/s @ 266MHz

y

RAM
BUS
PC700

Fecha de introducción:
1999
V
elocidad de transferencia
1.42 GB/s por canal, que hacen en total 2.84 GB/s @ 356 MHz
y

RAM
BUS
PC800Fecha de introducción:
1999
V
elocidad de transferencia
1.6GB/s por canal, que hacen en total 3.2 GB/s @ 400 MHz

E
S
D
RAM

Fecha de introducción:
A mediados de año de 1999

D
escripción de la tecnología

Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria,aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de lamemoria caché utilizada en los procesadores actuales.

V
elocidad de transferencia de la información:

Hasta 1.6 GB/s @ 133MHz y hasta 3.2 GB/s @ 150 MHz

Flash Memory

Este tipo de memoria se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente Windows Vista nos laopción de utilizarla también como memoria RAM, a continuación las características:

Fecha de introducciónFueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas también en ese año en el IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba anuncióel tipo NAND en el ISSCC.

D
escripción de la tecnología

Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías como teléfonos móviles, PDA,pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio o simplesdispositivos de almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, basadas en NOR y NAND.

V
elocidad de transferencia

La velocidad de transferencia de estas tarjetas, al igual que la capacidad de las mismas, se ha ido incrementando progresivamente, generalmente...