multiplicador de voltaje
Páginas: 6 (1294 palabras)
Publicado: 7 de enero de 2014
CAPACITORES DE POLIÉSTER(0.47 uf 400V-MKT)
Estos capacitores se caracterizan por las altas resistencias de aislamiento y elevadas temperaturas de funcionamiento.
Según el proceso de fabricación
Dentro de las características más importantes se encuentran una gran resistencia de aislamiento que le permite conservar la carga por largos periodos de tiempo, un volumen reducido y un excelentecomportamiento frente a la humedad y a las variaciones de temperatura. Adicionalmente, en caso de que un exceso de tensión los perfore, el metal se vaporiza en una pequeña zona rodeando la perforación evitando el cortocircuito, lo que le permite seguir funcionando, fenómeno conocido como autorregeneración o autoreparación.
Los materiales más utilizados en la construcción de estos condensadoresson el poliestireno (styroflex), el poliester (mylar), el policarbonato (Macrofol) y politetrafluoretileno (conocido comercialmente como teflón). Se fabrican en forma de bobinas o multicapas.
las ventajas de las de polieste respecto a los electroliticos es el tiempo de vida, y las tensiones que soporta las de poliester superan los miles de volt mientras que los electroliticos no ademas si a loselectroliticos no los usas por un periodo largo, al conectarlo a la tension que normalmente usa se rompen mientras que las de ceramica o poliester no.
En algunos países o publicaciones se los conoce como “MK”. Se fabrican con capacidades desde 1nF a 100uF y tensiones desde 25V a 4000V. Se los distingue por sus característicos colores vivos, generalmente rojo, amarillo o azul.
FUSIBLETIPO AMERICANO (2 Amperes a 250 Vca)
Se denomina fusible a un dispositivo, constituido por un soporte adecuado, un filamento o lámina de un metal o aleación de bajo punto de fusión que se intercala en un punto determinado de una instalación eléctrica para que se funda, por Efecto Joule, cuando la intensidad de corriente supere, por un cortocircuito o un exceso de carga, un determinado valor quepudiera hacer peligrar la integridad de los conductores de la instalación con el consiguiente riesgo de incendio o destrucción de otros elementos.
DIODO RECTIFICADOR (1 Amper, 1000 V, de propósito general)
El rectificador de silicio (o diodo semiconductor) es estructuralmente una juntura P-N. Los rectificadores de este tipo pueden funcionar en temperaturas ambientales de hasta200ºC y niveles de corrientes tan elevados como 400 A, con niveles de tensión hasta unos 1300 V. La disposición en paralelo o serie de dos o mas rectificadores pueden emplearse para lograr regímenes aun mayores de corriente o tensión.
Como la relación entre la corriente directa y la inversa es muy grande, la eficiencia de rectificación de los rectificadores de silicio pueden ser mejor que el 99%.Cuando se emplean correctamente, sus características de vida es excelente, y muy poco afectada por envejecimiento, humedad o temperatura. Puede, sin embargo, ser fácilmente dañado por excesos momentáneos de temperatura de la juntura causados por sobrecorrientes transitorias elevadas o condiciones de excesiva temperatura de ambiente. Son muy pequeños y livianos, y pueden hacerse relativamenteinsensibles a golpes u otras condiciones severas del medio circundante.
Cuando se aplica polarización en sentido directo(el ánodo es positivo respecto del cátodo) el rectificador se comporta en forma muy similar a una resistencia baja. La caída de tensión en el sentido directo Vf (normalmente de unos 0,7 V) es de potencial requerido para vencer el gradiente de potencial de región de carga espacialen la juntura P-N. Esta caída se mantiene sustancialmente constante, siempre que la corriente medie al circuito se mantenga dentro del valor nominal del rectificador. Sin embargo, si se incrementa la tensión aplicada al dispositivo (ya sea deliberadamente o como consecuencia de una sobretension momentánea) hasta sobrepasarse apreciablemente la corriente nominal, la caída de tensión en el sentido...
Estos capacitores se caracterizan por las altas resistencias de aislamiento y elevadas temperaturas de funcionamiento.
Según el proceso de fabricación
Dentro de las características más importantes se encuentran una gran resistencia de aislamiento que le permite conservar la carga por largos periodos de tiempo, un volumen reducido y un excelentecomportamiento frente a la humedad y a las variaciones de temperatura. Adicionalmente, en caso de que un exceso de tensión los perfore, el metal se vaporiza en una pequeña zona rodeando la perforación evitando el cortocircuito, lo que le permite seguir funcionando, fenómeno conocido como autorregeneración o autoreparación.
Los materiales más utilizados en la construcción de estos condensadoresson el poliestireno (styroflex), el poliester (mylar), el policarbonato (Macrofol) y politetrafluoretileno (conocido comercialmente como teflón). Se fabrican en forma de bobinas o multicapas.
las ventajas de las de polieste respecto a los electroliticos es el tiempo de vida, y las tensiones que soporta las de poliester superan los miles de volt mientras que los electroliticos no ademas si a loselectroliticos no los usas por un periodo largo, al conectarlo a la tension que normalmente usa se rompen mientras que las de ceramica o poliester no.
En algunos países o publicaciones se los conoce como “MK”. Se fabrican con capacidades desde 1nF a 100uF y tensiones desde 25V a 4000V. Se los distingue por sus característicos colores vivos, generalmente rojo, amarillo o azul.
FUSIBLETIPO AMERICANO (2 Amperes a 250 Vca)
Se denomina fusible a un dispositivo, constituido por un soporte adecuado, un filamento o lámina de un metal o aleación de bajo punto de fusión que se intercala en un punto determinado de una instalación eléctrica para que se funda, por Efecto Joule, cuando la intensidad de corriente supere, por un cortocircuito o un exceso de carga, un determinado valor quepudiera hacer peligrar la integridad de los conductores de la instalación con el consiguiente riesgo de incendio o destrucción de otros elementos.
DIODO RECTIFICADOR (1 Amper, 1000 V, de propósito general)
El rectificador de silicio (o diodo semiconductor) es estructuralmente una juntura P-N. Los rectificadores de este tipo pueden funcionar en temperaturas ambientales de hasta200ºC y niveles de corrientes tan elevados como 400 A, con niveles de tensión hasta unos 1300 V. La disposición en paralelo o serie de dos o mas rectificadores pueden emplearse para lograr regímenes aun mayores de corriente o tensión.
Como la relación entre la corriente directa y la inversa es muy grande, la eficiencia de rectificación de los rectificadores de silicio pueden ser mejor que el 99%.Cuando se emplean correctamente, sus características de vida es excelente, y muy poco afectada por envejecimiento, humedad o temperatura. Puede, sin embargo, ser fácilmente dañado por excesos momentáneos de temperatura de la juntura causados por sobrecorrientes transitorias elevadas o condiciones de excesiva temperatura de ambiente. Son muy pequeños y livianos, y pueden hacerse relativamenteinsensibles a golpes u otras condiciones severas del medio circundante.
Cuando se aplica polarización en sentido directo(el ánodo es positivo respecto del cátodo) el rectificador se comporta en forma muy similar a una resistencia baja. La caída de tensión en el sentido directo Vf (normalmente de unos 0,7 V) es de potencial requerido para vencer el gradiente de potencial de región de carga espacialen la juntura P-N. Esta caída se mantiene sustancialmente constante, siempre que la corriente medie al circuito se mantenga dentro del valor nominal del rectificador. Sin embargo, si se incrementa la tensión aplicada al dispositivo (ya sea deliberadamente o como consecuencia de una sobretension momentánea) hasta sobrepasarse apreciablemente la corriente nominal, la caída de tensión en el sentido...
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