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UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA SEDE MEDELLÍN FACULTAD DE MINAS

Asignatura: Electrónica Análoga 2 Período académico: 01/2011

PRÁCTICA DE LABORATORIO No. 3 POLARIZACIÓN DC TRANSISTOR BJT Objetivos

Analizar la polarización y modelado en DC de un transistor BJT de acuerdo a las diferentes configuraciones de operación. Ubicar adecuadamente el punto de operación Q del transistor paraobtener la máxima excursión de salida.  Antecedentes

La amplificación de señales es una de las aplicaciones más comunes de los transistores BJT. Esto se debe a la característica o factor deamplificación de corriente  entre la malla de entrada y la malla de salida del circuito. Se hace necesario que se garantice que la integridad de la información de la señal de entrada se garantice, además de lasespecificaciones de ganancia que se hayan planteado. El término máxima excursión es acuñado cuando se logra preservar tal integridad, y esta máxima excursión ocurre cuando el punto Q está centrado enla recta de carga del transistor. En la Figura 1 se muestra cómo se ven afectadas las señales de corriente y voltaje de salida según la ubicación del punto Q en la recta de carga para unaconfiguración Emisor Común, presentada en la Figura 2, donde en la malla de salida las variables de interés son IC y VCE. En este tipo de configuración se puede ubicar el punto de operación según el valor máximode corriente IC o de voltaje VCE. Cualquiera de las 2 aproximaciones es válida. Por corriente: Se tiene el valor máximo de corriente típico del dispositivo, y la coordenada del punto de operación quedadeterminada entonces:

I CQ 

I CMAX 2

-

Por voltaje: el diseñador selecciona un valor de voltaje de polarización VCC cualquiera, y la coordenada del punto de operación queda determinadaentonces:

VCEQ 

VCE 2

Máxima excursión

Figura 1. Ubicación ideal de punto Q para obtener máxima excursión.

En cualquiera de los dos casos, es necesario despejar la otra coordenada...