Nanotecnologia-Memorias Universales

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL
UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE INGENIERIA Y CIENCIAS SOCIALES Y ADMINISTRATIVAS

MEMORIA UNIVERSAL-NANOTECNOLOGIA



Coordinadora:



28/11/12


Introducción
La memoria es fundamental para todos los dispositivos informáticos, tanto para el almacenamiento a largo plazo de los datos y de corto plazo, mientras que el almacenamientode información está siendo procesada.
Hace tiempo que se espera que surja una nueva tecnología que permita desarrollar dispositivos de memoria capaces de almacenar grandes cantidades de datos de manera no volátil y a gran velocidad. También se espera que sea de muy alta densidad, es decir, que sea capaz de almacenar muchos datos en poco espacio, que pueda ser fabricado con relativa facilidad, yademás que todo eso lo haga usando el mínimo de energía posible. Es lo que se ha venido llamando el dispositivo de memoria universal.
Actualmente, se utilizan distintas tecnologías para diferentes tipos de memoria, como las propiedades de cada tipo de memoria son muy restrictivas.

INDICE
Tecnologías actuales de memoria…………….…………………….………...4

DRAM y SRAM……………………………………………….………………….4

LaMemoria Universal…………………….…………………………………….5

Objetivos de la memoria universal……………………………………………..6

Phase Change RAM (pcram)……………………………………………...…...7

NT-MRAM: nanotubos de carbono y espintrónica………………..….……….8

Memoria universal, la nueva meta de los gadgets…………………………..10

La memoria universal, la clave…….……………………… …………………..11

Tecnología niveles de preparación………..…………………………………..12Desafíos…………………………………………………………………………..12

Conclusiones……………………………………………………………………..13

Bibliografía………………………………………………………………..……….14
TECNOLOGÍAS ACTUALES DE MEMORIA
Los actuales ordenadores portátiles y teléfonos móviles se basan en tecnología con memoria SRAM, DRAM y flash, la cual está personalizada según el dispositivo. Esto, está a punto de cambiar, debido a que la demanda se ha enfocadoen gadgets con chips más rápidos, baratos y de mayor eficiencia en cuanto a energía y memoria.
DRAM
(Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo yrecargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, lamemoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.
SRAM
Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Estática de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo,sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.
La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o ambos. Debido a su compleja estructura interna, es menos densaque DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de los computadores personales.

FLASH
La memoria flash que permite la lecto-escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy...