nanowires

Crossbar Switches (interruptores de barra cruzada)
Mientras la escala de las características fabricadas bajo el limite fotolitográfico por la aplicación en el previamente explicado nanocable (crossbar) técnicas de fabricación han sido exitosamente demostrado, el interés en la fabricación de aparatos moleculares, en los cuales básicamente un ppequeño numero de moléculas están concectadaseléctricamente a los electrodos, a ncrementado continuamente . La razón tras tal ambicion, no es solo la perpetuación del podere de escalición de consumo y área por artefacto electronico, sino también la habilidad para entender el comportamiento eléctrico de las moléculas simples y evaluar la física del artefacto zero dimensional en contacto con un coonductor tridimensional o masas metalica. En elintermedio las habilidades de modelado y sintetizado de moléculas que son potencialmente interesantes para los artefactos electrónicos de nivel molecular ha mostrado muchos avances
Se han hecho muchos intentos en las ultimas décadas para diseñar moléculas que comprenden un donante-(r bridge)- - receptor, que deberían tener un comportamiento asimétrico, permitiendo a la corriente fluir en una direcciónpreferencial. Por este medio, el electrodo metalico tiene que ser cuidadosamente elegido, desde que la interfaz molecula-electrodo mostro interferencia con el comportamiento rectificador en algunos casos
Otro tipo de moléculas que cambian es representado por moléculas biestables, tales como roxatanes 2 pseudoroxatanes y canetananes. Ellos consisten en 2 componetes mecánicos entrelazadosoenroscados. La molecula tiene 2 estados estables y puede cambiar entre estos 2 estados cuando el voltaje “bias” aprpopiado es aplicado.
Otros grupos de investigadores en materiales de fase cambiada como un material cambiante en los puntos de cruce del nano cable. En una pn- union de nanocable de germanio de diodos crecio como un nanocable vertical con dimensiones sublitograficas fue usado como unacelula de memoria. La celula es inicialmente reprogramada (a un estado de baja conductancia 0) luego este puede ser programado al aplicar una corriente tan larga como un par de uA. En este punto, la fase parcialmente amorfa( en estado de reprogramación) es programado en una fase policristalina(estado programado) . en el estado programado , la celula trabaja como un diodo . la programación deprogramado a reprogramado es hecha al aplicar pulsos de un voltaje(bias) alto. La celula provee una desolación 100 x entre el avanzado y reverso bias en el estado programado .
COMPARACION ENTRE LAS TECNOLOGIAS DE BARRA CRUZADA.
La meta principal de la arquitectura cross bar es la de organizar nanocables en grupos muy densos, con un angulo muy por debajo del angulo o grado fotolitográfico. Las dosaproximaciones a las crosbar sugeridas para nanocables que crecen en un proceso bottom-up(i.e fluido directo y ensamble asistido desde el campo eléctrico) no son capaces de cumplir esta meta en general.la aproximación basada en El nanomolde es la única técnica existente que influye(tiene relevancia) en las pequeñas dimensiones y es exitosa en ordenaralas en grupos(combinaciones) con un angulo o gradosubfotolitografico
Todas estas técnicas muestran resultados prometedores en términos de su habilidad para integrar nanocables en grupos aun sabiendo que hay una cierta discrepancia entre las aproximaciones propuestas con respecto a las dimensiones y grado. Ninguna de estas técnicas se ha enfocado la utilización exclusiva de pasos de procesamiento CMOS con el propósito de lograr crossbars condimensiones y grados subfotolitograficas
En las siguientes secciones, se presenta el trabajo real llevado a cabo en las instalaciones de fabricación en el EPFL. La meta innovadora de este trabajo es el de usar una compatibilidad CMOS y técnicas con costos eficientes, con la intención de colocar nano cables en combinaciones /grupos con un angulo/grado pholitografico-in dependiente, mientras solo...