Niveles de energia

Nombre:
Michel Giovanni Orozco Campos
Matricula:
14060212
Nombre del curso:
Sistemas Electrónicos
Nombre del profesor:
Ricardo Mora Lizarán
Modulo:
1.4 Niveles de energía
Actividad:
Resumen
Fecha:07 septiembre 2015
Bibliografía:
http://cursos.itchihuahua.edu.mx/pluginfile.php/91235/mod_resource/content/1/Apuntes/Unid01.pdf

Titulo:
Niveles de energía
Introducción:
Cuanto más alejado está unelectrón del núcleo, mayor es su estado de energía y cualquier electrón que haya abandonado a su átomo padre tiene un estado de energía mayor que todo electrón que permanezca en la estructura atómica.Un electrón en la banda de valencia de silicio debe absorber más energía que uno en la banda de valencia de germanio para convertirse en portador libre. Asimismo, un electrón en la banda de valencia dearseniuro de galio debe absorber más energía que uno en la de silicio o germanio para entrar a la banda de conducción.
Contenido:
Dentro de la estructura atómica de cada átomo aislado hay nivelesespecíficos de energía asociados con cada capa y electrón en órbita. Los niveles de energía asociados con cada capa son diferentes según el elemento de que se trate. Sin embargo, conforme los átomos deun material se acercan entre sí para formar la estructura entrelazada cristalina, interactúan entre ellos, lo cual hace que los electrones de una capa particular de un átomo tengan niveles de energíaligeramente diferentes de los electrones presentes en la misma órbita de un átomo adyacente. En otras palabras, los electrones de valencia de un material de silicio pueden tener diversos niveles deenergía, revela con claridad que hay un nivel de energía mínimo asociado con electrones que se encuentran en la banda de conducción y un nivel de energía máximo de electrones enlazados a la capa devalencia del átomo. Entre los dos hay una brecha de energía que el electrón en la banda de valencia debe salvar para convertirse en portador libre. Esa brecha de energía es diferente para Ge, Si y GaAS;...