Ntc - Ptc Re

Páginas: 5 (1113 palabras) Publicado: 9 de octubre de 2011
PHILIPS

VDR y NTC
VDR Globar

GLOBAR

Resistencias No Lineales
Las resistencias son lineales, es decir que su curva característica de corriente en función de la tensión es una línea recta; cuanto mayor sea la tensión a ellas aplicada mayor será la intensidad de corriente que por ellas circula, permaneciendo su valor óhmico inalterado. Existen sin embargo otro tipo de resistencias en lascuales su valor óhmico depende de una magnitud externa a ellas, no mecánica, por ejemplo: la temperatura, tensión e intensidad luminosa. Cabe destacar cuatro tipos de resistencias no lineales: • VDR • NTC • PTC • LDR (Fotoresistencias).
Todas estas resistencias pertenecen al grupo de los semiconductores, si bien su forma de actuación en. los circuitos electrónicos depende de magnitudesdiferentes; así, las resistencias NTC y PTC dependen de la temperatura, mientras que la VDR depende de la tensión a ella aplicada y la LDR de la intensidad luminosa que sobre ella incida.

Fig. 1
Código GB100 GB106 I (mA) 1mA@500-600V 1mA@500-600V

Fig. 2
Reemplazo Tipo Universal Admiral 61B46-3, Bradford 43X0457-002, 259V015Hol, Catalina 43X0457-012, Motorola 6C66263A03, Philco 33-1373-2, Zenith63-6445, Admiral 61B46-1, Airline 057000200, GE K122J425-1, Magnavox 230167-1.5, Pencrest 1186, Philco 33-1373-9-10, RCA 112876

Fig. 3
Fig. Precio $ 1 2 0.48 0.54

GB314

1mA@870-1KV

3

0.57

Resistencias VDR de Carburo de Silicio
Las iniciales VDR proceden del inglés «Voltage Dependent Resistor» y su traducción al castellano será por tanto «Resistencia dependiente de la tensión» o,mejor aún, «Resistencia variable con la tensión». Se trata pues de un componente que, al aplicarle diferentes tensiones entre sus extremos, varía su resistencia de acuerdo con dichas tensiones. El material semiconductor utilizado en la fabricación de las resistencias VDR es, principalmente, el carburo de silicio. La dependencia de la tensión es debida a la resistencia de contacto entre los cristalesde carburo.

VDR Tipo Disco con Alambres

Características:
La resistencia óhmica de un VDR no es constante, sino que varía con la tensión aplicada a sus extremos. De ello se deduce que la corriente que circula por una VDR no es, en modo alguno, proporcional a la tensión aplicada. La curva característica de tensión en función de la corriente será pues la más importante de una VDR, sin embargotambién han de tenerse en cuenta otras características que influyen sobre su funcionamiento, tales como la potencia disipada, el coeficiente de temperatura, tolerancia, etc. Fig. 1 Ø31.94x5mm Alambre Ø1.03mm Fig. 2 Ø32.80x4.96mm Alambre Ø1.03mm

Curva característica V = f (I) de una VDR
En la figura 1 se ha dibujado la curva característica de la tensión en función de la corriente de una VDR enescala lineal. En esta figura puede observarse que con el aumento de la tensión aplicada a la VDR, el valor óhmico de ella disminuye rápidamente.

V

R VDR

Fig. 3

Ø12.35x3.25mm Alambre Ø0.80mm

Fig. 4

Ø25.55x5.55mm Alambre Ø1.02mm

Código GB89 GB57
Fig. 1 Curva características

Resistencia 14KΩ@140V 1.77KΩ 30KΩ 11KΩ@25V

Descripción Reemplazo GERRWO88, FRO-88 Voltaje Nominal12.6V 20V máx. 1V@1.5mA # FRO57 Voltaje Nominal 48V máx. 145V, β Max.0.35, 0.25W 303mA@72V, Dia. 25mm

Fig. Precio $ 1 2 3 4 0.39 0.20 0.38 0.44

V=CI

β

tension-corriente de una VDR, I V = Tensión entre extremos de la resistencia (V). trazada en escala lineal. C = Constante en la que I es igual a 1 amperio. I = Corriente que circula por la resistencia, en amperios. β = tg ϕ (pendientede la recta de la figura 1, es decir: Tg ϕ = V / I Los valores prácticos de β se hallan situados entre 0,16 y 0,40 los de C entre 14 y algunos miles. La ecuación anterior puede también escribirse de la siguiente form

GB63.7085 GB1007

1 I = k Vα en la cual α = −−−−− β

y

1 k = −−−−− Cα

Hay que destacar que las resistencias VDR no presentan síntomas de polarización cuando la tensión...
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